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BSS159NH6327XTSA2 Canal N Montaje en superficie 60V 230mA (Ta) 360mW (Ta) SOT-23-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,41000 0,41 €
10 0,33600 3,36 €
25 0,30800 7,70 €
100 0,19330 19,33 €
250 0,19112 47,78 €
500 0,17896 89,48 €
1.000 0,12169 121,69 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSS159NH6327XTSA2TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 6.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,11668 €
  • Digi-Reel®  : BSS159NH6327XTSA2DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 6.614 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSS159NH6327XTSA2

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSS159NH6327XTSA2CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSS159NH6327XTSA2
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Descripción MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 230mA (Ta) 360mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos BSS159N
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 230mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5Ohm a 160mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4V a 26µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1,4nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 39pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 360mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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