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BSS131H6327XTSA1 Canal N Montaje en superficie 240V 110mA (Ta) 360mW (Ta) SOT-23-3
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3.000 0,06393 191,79 €
6.000 0,05855 351,30 €
15.000 0,05064 759,56 €
30.000 0,04969 1.490,63 €
75.000 0,04114 3.085,68 €
150.000 0,04051 6.076,43 €

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  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSS131H6327XTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSS131H6327XTSA1TR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSS131H6327XTSA1
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Descripción MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 240V 110mA (Ta) 360mW (Ta) SOT-23-3

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado Cinta y rollo (TR) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 240V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 110mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14Ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.8V a 56µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3,1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 77pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 360mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 3.000
Otros nombres BSS131 H6327
BSS131 H6327-ND
BSS131 H6327TR-ND
BSS131H6327
BSS131H6327XTSA1TR
SP000702620