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BSS131H6327XTSA1 Canal N Montaje en superficie 240V 110mA (Ta) 360mW (Ta) SOT-23-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,39000 0,39 €
10 0,29100 2,91 €
25 0,25480 6,37 €
100 0,13840 13,84 €
250 0,13768 34,42 €
500 0,11292 56,46 €
1.000 0,08378 83,78 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSS131H6327XTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 81.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,07358 €
  • Digi-Reel®  : BSS131H6327XTSA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 82.531 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSS131H6327XTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSS131H6327XTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSS131H6327XTSA1
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Descripción MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 240V 110mA (Ta) 360mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 240V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 110mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14Ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.8V a 56µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3,1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 77pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 360mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSS131 H6327CT
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BSS131H6327XTSA1CT