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BSR92PH6327XTSA1 Canal P Montaje en superficie 250V 140mA (Ta) 500mW (Tc) PG-SC-59
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30.000 0,10724 3.217,19 €

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BSR92PH6327XTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSR92PH6327XTSA1TR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSR92PH6327XTSA1
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Descripción MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 250V 140mA (Ta) 500mW (Tc) PG-SC-59

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Documentos y medios
Hojas de datos BSR92P
BSR92P H6327 Errata~
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado Cinta y rollo (TR) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 140mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.8V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11Ohm a 140mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 130µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4,8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 109pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SC-59
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 3.000
Otros nombres BSR92PH6327XTSA1-ND
BSR92PH6327XTSA1TR
SP001101038