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BSR92PH6327XTSA1 Canal P Montaje en superficie 250V 140mA (Ta) 500mW (Tc) PG-SC-59
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Escala de precios Precio unitario Precio total
3.000 0,11978 359,33 €
6.000 0,11023 661,35 €
9.000 0,09920 892,83 €
30.000 0,09773 2.932,00 €
75.000 0,09185 6.889,11 €

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  • Cinta cortada (CT)  : BSR92PH6327XTSA1CT-ND
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  • Digi-Reel®  : BSR92PH6327XTSA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 21.243 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSR92PH6327XTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSR92PH6327XTSA1TR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSR92PH6327XTSA1
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Descripción MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 250V 140mA (Ta) 500mW (Tc) PG-SC-59

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Documentos y medios
Hojas de datos BSR92P
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Embalaje Cinta y rollo (TR) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 140mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11Ohm a 140mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 130µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4,8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 109pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SC-59
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 3.000
Otros nombres BSR92PH6327XTSA1-ND
BSR92PH6327XTSA1TR
SP001101038