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BSR92PH6327XTSA1 Canal P Montaje en superficie 250V 140mA (Ta) 500mW (Tc) PG-SC-59
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,47000 0,47 €
10 0,38500 3,85 €
25 0,35200 8,80 €
100 0,22100 22,10 €
250 0,21860 54,65 €
500 0,20466 102,33 €
1.000 0,13917 139,17 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : BSR92PH6327XTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 6.000 - Inmediata
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  • Cinta cortada (CT)  : BSR92PH6327XTSA1CT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7.249 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,45000 €

BSR92PH6327XTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSR92PH6327XTSA1DKR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSR92PH6327XTSA1
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Descripción MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 250V 140mA (Ta) 500mW (Tc) PG-SC-59

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Documentos y medios
Hojas de datos BSR92P
BSR92P H6327 Errata~
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado Digi-Reel® 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 140mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.8V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11Ohm a 140mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 130µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4,8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 109pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SC-59
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSR92PH6327XTSA1DKR