EUR | USD
Favorito

BSR802NL6327HTSA1 Canal N Montaje en superficie 20V 3.7 A (Ta) 500mW (Ta) PG-SC-59
Precio y compra
7.684 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,35000 0,35 €
10 0,30300 3,03 €
25 0,28240 7,06 €
100 0,20970 20,97 €
250 0,19924 49,81 €
500 0,16376 81,88 €
1.000 0,13310 133,10 €

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSR802NL6327HTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 6.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,12503 €
  • Digi-Reel®  : BSR802NL6327HTSA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7.684 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSR802NL6327HTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSR802NL6327HTSA1CT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante BSR802NL6327HTSA1
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 3.7 A (Ta) 500mW (Ta) PG-SC-59

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos BSR802N
Producto destacado Data Processing Systems
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 20V N-Channel Spice Model
Hoja de datos de HTML BSR802N
Embalaje de PCN Mult Dev Packing Box Chg 18/Oct/2019
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 2.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 23mOhm a 3.7A, 2.5V
Vgs(th) (máx) a Id 750mV a 30µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4,7nC @ 2,5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1447pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SC-59
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

RCU-0C

PC TEST POINT NATURAL

TE Connectivity AMP Connectors

0,24000 € Detalles

B520C-13-F

DIODE SCHOTTKY 20V 5A SMC

Diodes Incorporated

0,47000 € Detalles

LT3478EFE#PBF

IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TSSOP

Linear Technology/Analog Devices

7,96000 € Detalles

LTPL-C034UVH365

LED 500MA 665MW 365NM

Lite-On Inc.

6,56000 € Detalles

BSS806NEH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Infineon Technologies

0,30000 € Detalles

MCH3484-TL-W

MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3

ON Semiconductor

0,44000 € Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSR802N L6327INCT
BSR802N L6327INCT-ND
BSR802NL6327HTSA1CT