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BSR802NL6327HTSA1 Canal N Montaje en superficie 20V 3.7 A (Ta) 500mW (Ta) PG-SC-59
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1 0,42000 0,42 €
10 0,35700 3,57 €
100 0,26630 26,63 €
500 0,20924 104,62 €
1.000 0,16168 161,68 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSR802NL6327HTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSR802NL6327HTSA1

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Descripción MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 3.7 A (Ta) 500mW (Ta) PG-SC-59

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Documentos y medios
Hojas de datos BSR802N
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 20V N-Channel Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 2.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23mOhm a 3.7A, 2.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 750mV a 30µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4,7nC @ 2,5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1447pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SC-59
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSR802N L6327INCT
BSR802N L6327INCT-ND
BSR802NL6327HTSA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSR802NL6327HTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
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00:00:55 8/23/2019