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BSR315PH6327XTSA1 Canal P Montaje en superficie 60V 620mA (Ta) 500mW (Ta) PG-SC-59
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,34000 0,34 €
10 0,28600 2,86 €
25 0,26680 6,67 €
100 0,19830 19,83 €
500 0,15482 77,41 €
1.000 0,12584 125,84 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSR315PH6327XTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 12.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,11821 €
  • Digi-Reel®  : BSR315PH6327XTSA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 16.740 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSR315PH6327XTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSR315PH6327XTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSR315PH6327XTSA1
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Descripción MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 620mA (Ta) 500mW (Ta) PG-SC-59

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Documentos y medios
Hojas de datos BSR315P
Producto destacado Data Processing Systems
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 620mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 800mOhm a 620mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 160µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 176pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SC-59
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSR315PH6327XTSA1CT