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BSR315PH6327XTSA1 Canal P Montaje en superficie 60V 620mA (Ta) 500mW (Ta) PG-SC-59
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,41000 0,41 €
10 0,35200 3,52 €
100 0,26320 26,32 €
500 0,20680 103,40 €
1.000 0,15980 159,80 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSR315PH6327XTSA1CT-ND
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Cantidad disponible 26.904
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSR315PH6327XTSA1

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Descripción MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 620mA (Ta) 500mW (Ta) PG-SC-59

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Documentos y medios
Hojas de datos BSR315P
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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 60V P-Channel Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 620mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 800mOhm a 620mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 160µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 176pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SC-59
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSR315PH6327XTSA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSR315PH6327XTSA1TR-ND
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02:54:43 8/21/2019