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BSP92PH6327XTSA1 Canal P Montaje en superficie 250V 260mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,44000 0,44 €
10 0,37400 3,74 €
25 0,35000 8,75 €
100 0,25980 25,98 €
250 0,24680 61,70 €
500 0,20282 101,41 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSP92PH6327XTSA1TR-ND
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  • Cantidad disponible: 2.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,16486 €
  • Digi-Reel®  : BSP92PH6327XTSA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2.677 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSP92PH6327XTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSP92PH6327XTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSP92PH6327XTSA1
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Descripción MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 250V 260mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4

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Documentos y medios
Hojas de datos BSP92P
Producto destacado Data Processing Systems
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 260mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 12Ohm a 260mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 130µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5,4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 104pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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