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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2,50000 €2,50
10 2,24400 €22,44
25 2,12160 €53,04
100 1,83890 €183,89
500 1,56544 €782,72
1.000 1,32026 €1.320,26

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  • Cinta y rollo (TR)  : 917-1118-2-ND
  • Cantidad mínima: 2.500
  • Cantidad disponible: 17.500 - Inmediata
  • Precio unitario: 1,28596 €
  • Digi-Reel®  : 917-1118-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 18.627 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
Número de pieza de Digi-Key 917-1118-1-ND
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Fabricante

EPC

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Número de pieza del fabricante EPC8002
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Descripción GANFET N-CH 65V 2A DIE
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 65V 2 A (Ta) Molde

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Referencia del cliente
Documentos y medios
Hojas de datos EPC8002
eGaN® FET Brief
Módulos de capacitación sobre el producto eGaN® FET Reliability
Información de RoHS EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Biblioteca de diseños de referencia EPC9022: 1.6A, 0 ~ 28V, Half H-Bridge
Ensamble/origen de PCN Assembly Site 25/Jun/2021
Hoja de datos de HTML eGaN® FET Brief
EPC8002
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante EPC
Serie eGaN®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 65V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 530mOhm a 500mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 21pF @ 32,5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
Paquete / Caja (carcasa) Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 917-1118-1