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EPC2101 Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 60V 9.5 A, 38 A Montaje en superficie Molde
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1 6,77000 6,77 €
10 6,11800 61,18 €
25 5,83320 145,83 €
100 5,06470 506,47 €
250 4,83704 1.209,26 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 917-1181-1-ND
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Número de pieza del fabricante

EPC2101

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Descripción GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 60V 9.5 A, 38 A Montaje en superficie Molde

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Categorías
Fabricante EPC
Serie eGaN®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.5 A, 38 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11.5mOhm a 20A, 5V, 2.7mOhm a 20A, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 3mA, 2.5V a 12mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.7nC a 5V, 12nC a 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 300pF a 30V, 1200pF a 30V
Potencia máxima -
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) Molde
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 917-1181-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 917-1181-2-ND
  • Cantidad mínima: 500
  • Cantidad disponible: 9.500 - Inmediata
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06:16:11 9/19/2019