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EPC2101 MOSFET - Arreglos 2 canales N (medio puente) 60V 9.5 A, 38 A Montaje en superficie Molde
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1 6,22000 6,22 €
10 5,62300 56,23 €
25 5,36120 134,03 €
100 4,44590 444,59 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : 917-1181-2-ND
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  • Digi-Reel®  : 917-1181-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9.747 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
Número de pieza de Digi-Key 917-1181-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante EPC2101
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Descripción GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos 2 canales N (medio puente) 60V 9.5 A, 38 A Montaje en superficie Molde

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Documentos y medios
Hojas de datos EPC2101
Ensamble/origen de PCN Mult Dev TR Assembly Chg 14/Dec/2018
Biblioteca de diseños de referencia EPC9037: 22A, 0 ~ 60V, Half H-Bridge
Archivo de video
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Categorías
Fabricante EPC
Serie eGaN®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9.5 A, 38 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11.5mOhm a 20A, 5V, 2.7mOhm a 20A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 3mA, 2.5V a 12mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.7nC a 5V, 12nC a 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 300pF a 30V, 1200pF a 30V
Potencia - Máx. -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) Molde
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 917-1181-1