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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6,77000 €6,77
10 6,12200 €61,22
25 5,83760 €145,94
100 5,06870 €506,87
500 4,41380 €2.206,90

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 917-1133-2-ND
  • Cantidad mínima: 1.000
  • Cantidad disponible: 8.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 3,88311 €
  • Digi-Reel®  : 917-1133-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8.809 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
Número de pieza de Digi-Key 917-1133-1-ND
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Fabricante

EPC

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Número de pieza del fabricante EPC2022
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Descripción GANFET N-CH 100V 90A DIE
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 90 A (Ta) Molde

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Referencia del cliente
Documentos y medios
Hojas de datos EPC2022
Información de RoHS EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Producto destacado High Power eGaN® FETs
Biblioteca de diseños de referencia EPC9080: 30A, 0 ~ 100V, Half H-Bridge
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
Modelos EDA/CAD EPC2022 by Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante EPC
Serie eGaN®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 90 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.2mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 12mA
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1500pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
Paquete / Caja (carcasa) Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Para usar con

EPC9080

BOARD DEV FOR EPC2045 & EPC2022

EPC

99,81000 € Detalles
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 917-1133-1