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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6,65000 €6,65
10 6,00300 €60,03
25 5,72400 €143,10
100 4,97000 €497,00
500 4,32782 €2.163,91

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  • Cinta y rollo (TR)  : 917-1089-2-ND
  • Cantidad mínima: 1.000
  • Cantidad disponible: 9.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 3,80747 €
  • Digi-Reel®  : 917-1089-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9.920 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
Número de pieza de Digi-Key 917-1089-1-ND
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Fabricante

EPC

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Número de pieza del fabricante EPC2021
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Descripción GANFET N-CH 80V 90A DIE
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 90 A (Ta) Molde

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Referencia del cliente
Documentos y medios
Hojas de datos EPC2021
Información de RoHS EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Producto destacado High Power eGaN® FETs
Biblioteca de diseños de referencia EPC9019: 20A, 0 ~ 80V, Half H-Bridge
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
Hoja de datos de HTML EPC2021
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante EPC
Serie eGaN®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 90 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.5mOhm a 29A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 14mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1650pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
Paquete / Caja (carcasa) Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 917-1089-1