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DMP32D9UFZ-7B Canal P Montaje en superficie 30V 200mA (Ta) 390mW (Ta) X2-DFN0606-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
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10 0,26400 2,64 €
100 0,18000 18,00 €
500 0,13494 67,47 €
1.000 0,10121 101,21 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : DMP32D9UFZ-7BDITR-ND
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  • Precio unitario: 0,07915 €
  • Digi-Reel®  : DMP32D9UFZ-7BDIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 10.802 - Inmediata
    6.570.000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMP32D9UFZ-7B

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMP32D9UFZ-7BDICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMP32D9UFZ-7B
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Descripción MOSFET P-CH 30V 0.2A X2-DFN0606
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 200mA (Ta) 390mW (Ta) X2-DFN0606-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMP32D9UFZ
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Producto destacado DFN0606 Mini MOSFETs
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5Ohm a 100mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0,35nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 390mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN0606-3
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMP32D9UFZ-7BDICT