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DMP3050LVT-7 Canal P Montaje en superficie 30V 4.5 A (Ta) 1.8W (Ta) TSOT-26
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1 0,44000 0,44 €
10 0,35800 3,58 €
25 0,32760 8,19 €
100 0,20570 20,57 €
250 0,20340 50,85 €
500 0,19046 95,23 €
1.000 0,12952 129,52 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : DMP3050LVT-7DITR-ND
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  • Digi-Reel®  : DMP3050LVT-7DIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 19.637 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMP3050LVT-7

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMP3050LVT-7
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Descripción MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
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Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 4.5 A (Ta) 1.8W (Ta) TSOT-26

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Documentos y medios
Hojas de datos DMP3050LVT
Diseño/especificación de PCN Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev 06/Dec/2019
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10,5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 620pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TSOT-26
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMP3050LVT-7DICT