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DMP2018LFK-7 Canal P Montaje en superficie 20V 9.2 A (Ta) 1W (Ta) U-DFN2523-6
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10 0,34100 3,41 €
100 0,25500 25,50 €
500 0,20040 100,20 €
1.000 0,15485 154,85 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : DMP2018LFK-7DITR-ND
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  • Digi-Reel®  : DMP2018LFK-7DIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11.557 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMP2018LFK-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMP2018LFK-7DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMP2018LFK-7
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Descripción MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 9.2 A (Ta) 1W (Ta) U-DFN2523-6

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Documentos y medios
Hojas de datos DMP2018LFK
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018
Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16mOhm a 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 113nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4748pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor U-DFN2523-6
Paquete / Caja (carcasa) 6-PowerUDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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0,50000 € Detalles
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