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DMN6040SFDE-7 Canal N Montaje en superficie 60V 5.3 A (Ta) 660mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico E)
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1 0,51000 0,51 €
10 0,43700 4,37 €
25 0,40800 10,20 €
100 0,30300 30,30 €
250 0,28780 71,95 €
500 0,23652 118,26 €
1.000 0,19226 192,26 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : DMN6040SFDE-7DITR-ND
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 30.721 - Inmediata
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DMN6040SFDE-7

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Número de pieza de Digi-Key DMN6040SFDE-7DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMN6040SFDE-7
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Descripción MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN
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Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 5.3 A (Ta) 660mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico E)

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN6040SFDE
Diseño/especificación de PCN Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018
Hoja de datos de HTML DMN6040SFDE
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 38mOhm a 4.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22,4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1287pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 660mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor U-DFN2020-6 (típico E)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-UDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMN6040SFDE-7DICT