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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN55D0UTDICT-ND
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Cantidad disponible 116.460
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN55D0UT-7

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Descripción MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 50V 160 mA (Ta) 200 mW (Ta) SOT-523

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN55D0UT
Información de RoHS RoHS, REACH Cert of Compliance
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 50V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 160 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 Ohm a 100 mA, 4 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 25pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-523
Paquete / Caja (carcasa) SOT-523
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN55D0UTDICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN55D0UTDITR-ND
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  • Cantidad disponible: 116.460 - Inmediata
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04:00:39 11/19/2018