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10 0,31900 3,19 €
25 0,29800 7,45 €
100 0,22140 22,14 €
250 0,21032 52,58 €
500 0,17284 86,42 €
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  • Cinta y rollo (TR)  : DMN4800LSSDITR-ND
  • Cantidad mínima: 2.500
  • Cantidad disponible: 5.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,11878 €
  • Digi-Reel®  : DMN4800LSSDIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7.641 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMN4800LSS-13

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMN4800LSSDICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMN4800LSS-13
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Descripción MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 9 A (Ta) 1.46W (Ta) 8-SOP

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN4800LSS
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Hoja de datos de HTML DMN4800LSS
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 1.6V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9,47nC @ 5V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 798pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.46W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMN4800LSSDICT