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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN4800LSSDICT-ND
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Cantidad disponible 10.364
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 35.000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN4800LSS-13

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Descripción MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 9 A (Ta) 1.46W (Ta) 8-SOP

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN4800LSS
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.6V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9,47nC @ 5V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 798pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.46W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN4800LSSDICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN4800LSSDITR-ND
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    35.000 - Stock en fábrica ?
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16:13:46 8/23/2019