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1 0,35000 0,35 €
10 0,30300 3,03 €
25 0,28200 7,05 €
100 0,20970 20,97 €
250 0,19924 49,81 €
500 0,16374 81,87 €
1.000 0,13310 133,10 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : DMN32D2LFB4DITR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 573.000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: 0,11253 €
  • Digi-Reel®  : DMN32D2LFB4DIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5.067 - Inmediata
    573.000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMN32D2LFB4-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMN32D2LFB4DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMN32D2LFB4-7
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Descripción MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 300mA (Ta) 350mW (Ta) X2-DFN1006-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN32D2LFB4
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 300mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.2Ohm a 100mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id 1.2V a 250µA
Vgs (máx.) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 39pF @ 3V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMN32D2LFB4DICT