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DMN3190LDW-7 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 1 A 320mW Montaje en superficie SOT-363
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1 0,49000 0,49 €
10 0,35400 3,54 €
100 0,20830 20,83 €
500 0,11788 58,94 €
1.000 0,09038 90,38 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN3190LDW-7DICT-ND
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Cantidad disponible 170.274
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN3190LDW-7

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 1 A 320mW Montaje en superficie SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN3190LDW
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
Hoja de datos de HTML DMN3190LDW
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 1.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 87pF a 20 V
Potencia máxima 320mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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06:09:22 2/22/2019