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DMN30H4D0LFDE-7 Canal N Montaje en superficie 300V 550mA (Ta) 630mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico E)
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10 0,39100 3,91 €
25 0,36480 9,12 €
100 0,27090 27,09 €
250 0,25740 64,35 €
500 0,21154 105,77 €
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DMN30H4D0LFDE-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMN30H4D0LFDE-7
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Descripción MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
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Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 300V 550mA (Ta) 630mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico E)

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN30H4D0LFDE
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 300V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 550mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.7V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4Ohm a 300mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7,6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 187,3pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 630mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor U-DFN2020-6 (típico E)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-UDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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