DMN26D0UFB4-7 Diodes Incorporated | Productos semiconductores discretos

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DMN26D0UFB4-7 Canal N Montaje en superficie 20V 230 mA (Ta) 350 mW (Ta) X2-DFN1006-3

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	DMN26D0UFB4-7DICT-ND	Copiar
Cantidad disponible	223.401 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Diodes Incorporated	Copiar
Número de pieza del fabricante	DMN26D0UFB4-7	Copiar
Descripción	MOSFET N-CH 20V 230MA DFN	Copiar
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20V 230 mA (Ta) 350 mW (Ta) X2-DFN1006-3	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	DMN26D0UFB4
Información de RoHS	RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN	Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015
Ensamble/origen de PCN	Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	230 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	3 Ohm a 100 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id	1.1 V a 250µA
Vgs (máx.)	±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	14,1pF @ 15V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	350 mW (Ta)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-XFDFN