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DMN10H170SVT-7 Canal N Montaje en superficie 100V 2.6 A (Ta) 1.2W (Ta) TSOT-26
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10 0,37000 3,70 €
25 0,34520 8,63 €
100 0,25640 25,64 €
250 0,24352 60,88 €
500 0,20014 100,07 €
1.000 0,16268 162,68 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : DMN10H170SVT-7DITR-ND
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  • Digi-Reel®  : DMN10H170SVT-7DIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3.901 - Inmediata
    306.000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : DMN10H170SVT-13DI-ND
  • Cantidad mínima: 10.000  Agotado 
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: 0,12817 €

DMN10H170SVT-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMN10H170SVT-7DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMN10H170SVT-7
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Descripción MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
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Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 2.6 A (Ta) 1.2W (Ta) TSOT-26

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Documentos y medios
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Hojas de datos DMN10H170SVT
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 160mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9,7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1167pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TSOT-26
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMN10H170SVT-7DICT