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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN10H170SVT-7DICT-ND
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Cantidad disponible 7.063
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN10H170SVT-7

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Descripción MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
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Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 2.6 A (Ta) 1.2W (Ta) TSOT-26

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN10H170SVT
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 160mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9,7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1167pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.2W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TSOT-26
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN10H170SVT-7DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN10H170SVT-7DITR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
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03:54:09 8/23/2019