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DMG4496SSS-13 Canal N Montaje en superficie 30V 10 A (Ta) 1.42W (Ta) 8-SOP
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,39000 0,39 €
10 0,31800 3,18 €
100 0,21590 21,59 €
500 0,16192 80,96 €
1.000 0,12145 121,45 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : DMG4496SSS-13DITR-ND
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  • Digi-Reel®  : DMG4496SSS-13DIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5.000 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMG4496SSS-13

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMG4496SSS-13DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMG4496SSS-13
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Descripción MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 10 A (Ta) 1.42W (Ta) 8-SOP

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Documentos y medios
Hojas de datos DMG4496SSS
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 21.5mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10,2nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 493,5pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.42W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMG4496SSS-13DICT