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DMG3414U-7 Canal N Montaje en superficie 20V 4.2 A (Ta) 780mW (Ta) SOT-23-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMG3414U-7DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMG3414U-7

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Descripción MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
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Plazo estándar del fabricante 21 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 4.2 A (Ta) 780mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMG3414U
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 25mOhm a 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9,6nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 829,9pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 780mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMG3414U-7DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMG3414U-7DITR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 45.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,13828 €
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 49.730 - Inmediata
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11:03:51 8/20/2019