DMG2305UX-7 Diodes Incorporated | Productos semiconductores discretos

Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	DMG2305UX-7DICT-ND	Copiar
Cantidad disponible	192.268 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Diodes Incorporated	Copiar
Número de pieza del fabricante	DMG2305UX-7	Copiar
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23	Copiar
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20V 4.2 A (Ta) 1.4 W (Ta) SOT-23	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	DMG2305UX
Información de RoHS	RoHS, REACH Cert of Compliance
Ensamble/origen de PCN	Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
Modelos EDA / CAD	Descargar de Ultra Librarian

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	4.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	52 mOhm a 4.2 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id	900 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10,2nC @ 4,5V
Vgs (máx.)	±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	808pF @ 15V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	1.4 W (Ta)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (ilimitado)

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Recursos adicionales

Envase estándar	1
Otros nombres	DMG2305UX-7DICT

20:33:27 8/21/2018

Precio y compra

Todos los precios están en EUR.

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:

Diodes Incorporated