DMG1012T-7 Diodes Incorporated | Productos semiconductores discretos

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DMG1012T-7 Canal N Montaje en superficie 20V 630 mA (Ta) 280 mW (Ta) SOT-523

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	DMG1012T-7DICT-ND	Copiar
Cantidad disponible	0 Esta característica no está disponible temporalmente. Estamos trabajando arduamente para solucionarlo. Le agradecemos su paciencia.
Fabricante	Diodes Incorporated	Copiar
Número de pieza del fabricante	DMG1012T-7	Copiar
Descripción	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523	Copiar
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20V 630 mA (Ta) 280 mW (Ta) SOT-523	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	DMG1012T
Información de RoHS	RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN	Bond Wire 11/Nov/2011
Ensamble/origen de PCN	Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018 Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
Hoja de datos de HTML	DMG1012T

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	630 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	400 mOhm a 600 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id	1 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0,74nC @ 4,5V
Vgs (máx.)	±6 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	60,67pF @ 16V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	280 mW (Ta)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-523
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-523