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CY7C1312KV18-250BZI Memoria IC SRAM - sincrónico, QDR II 18Mb (1M x 18) Paralelo 165-FBGA (13x15)
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1 29,87000 29,87 €
10 28,07500 280,75 €
25 27,11040 677,76 €
50 26,24920 1.312,46 €
100 23,09720 2.309,72 €
250 22,47716 5.619,29 €

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CY7C1312KV18-250BZI

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CY7C1312KV18-250BZI
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Descripción IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Memoria IC SRAM - sincrónico, QDR II 18Mb (1M x 18) Paralelo 165-FBGA (13x15)

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Serie -
Empaquetado Bandeja 
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria Volátil
Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - sincrónico, QDR II
Capacidad de memoria 18Mb (1M x 18)
Interfaz de memoria Paralelo
Frecuencia de reloj 250MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página -
Voltaje de la fuente 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 165-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 165-FBGA (13x15)
Número de pieza base CY7C1312
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / No cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Recursos adicionales
Envase estándar 136
Otros nombres CY7C1312KV18250BZI