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CY62157EV30LL-55ZXE

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key CY62157EV30LL-55ZXE-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CY62157EV30LL-55ZXE
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Descripción IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

SRAM - asíncrono Memoria IC 8Mb (512K x 16) Paralelo 55ns 48-TSOP I

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Documentos y medios
Hojas de datos CY62157EV30 MoBL®
Otro PCN Multiple Updates 27/Mar/2015
Producto destacado Cypress Memory Products
Archivo de video Cypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
Información de RoHS RoHS3 Certificate
Embalaje de PCN Date Code/Shelf Life Chgs 18/Jul/2019
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly 06/Mar/2020
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Serie MoBL®
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo de memoria Volátil
Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - asíncrono
del programa 8Mb (512K x 16)
Interfaz de memoria Paralelo
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 55ns
Tiempo de acceso 55ns
Voltaje de la fuente 2.2V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 48-TFSOP (ancho 0.724", 18.40mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 48-TSOP I
Número de pieza base CY62157
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Recursos adicionales
Envase estándar 96
Otros nombres CY62157EV30LL55ZXE