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AOSP21321 Canal P Montaje en superficie 30V 11 A (Ta) 3.1W (Ta) 8-SOIC
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,36000 0,36 €
10 0,31300 3,13 €
25 0,29240 7,31 €
100 0,21720 21,72 €
250 0,20636 51,59 €
500 0,16962 84,81 €
1.000 0,13786 137,86 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 785-1795-2-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 3.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,13142 €
  • Digi-Reel®  : 785-1795-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4.647 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

AOSP21321

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 785-1795-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante AOSP21321
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Descripción MOSFET P-CH 30V 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 11 A (Ta) 3.1W (Ta) 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos AOSP21321 Datasheet
Información de RoHS Alpha & Omega RoHS3
Ensamble/origen de PCN AONyyy 19-Oct-2019
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1180pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 785-1795-1