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AO4629 MOSFET - Arreglos Canal N y P, drenaje común 30V 6 A, 5.5 A 2W Montaje en superficie 8-SOIC
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,42000 0,42 €
10 0,34100 3,41 €
25 0,31240 7,81 €
100 0,19620 19,62 €
250 0,19400 48,50 €
500 0,18164 90,82 €
1.000 0,12352 123,52 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : 785-1555-2-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
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  • Precio unitario: 0,11843 €
  • Digi-Reel®  : 785-1555-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
Número de pieza de Digi-Key 785-1555-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante AO4629
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Descripción MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P, drenaje común 30V 6 A, 5.5 A 2W Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos AO4629
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS Alpha & Omega RoHS3
Ensamble/origen de PCN Mult Devices Assembly 24/Apr/2018
Hoja de datos de HTML AO4629
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P, drenaje común
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A, 5.5 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.3nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 310pF a 15V
Potencia máxima 2W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 785-1555-1