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AO4629 Arreglo de MOSFET Canal N y P, drenaje común 30V 6 A, 5.5 A 2W Montaje en superficie 8-SOIC
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10 0,36300 3,63 €
100 0,24700 24,70 €
500 0,18524 92,62 €
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1555-1-ND
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Número de pieza del fabricante

AO4629

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Descripción MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P, drenaje común 30V 6 A, 5.5 A 2W Montaje en superficie 8-SOIC

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Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS Alpha & Omega RoHS3
Ensamble/origen de PCN Mult Devices Assembly 24/Apr/2018
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Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P, drenaje común
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A, 5.5 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.3nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 310pF a 15V
Potencia máxima 2W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 785-1555-1
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17:43:55 8/17/2019