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STFI20N STMicroelectronics - Transistores - FET, MOSFET - Simple

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Cantidad mínima Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo FET Tecnología Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C Vgs(th) (máx.) en Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Vgs (máx.) Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Característica de FET Disipación de potencia (máx.) Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete del dispositivo del proveedor Paquete / Caja (carcasa)
   
STFI20NK50Z Datasheet STFI20NK50Z - STMicroelectronics 497-12858-5-ND STFI20NK50Z MOSFET N-CH 500V 17A I2PAK FP 1.500 - Inmediata Disponible: 1.500 3,45000 €
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Tubo SuperMESH™ Obsoleto Canal N MOSFET (óxido de metal) 500V 17 A (Tc) 10V 270mOhm a 8.5A, 10V 4.5V a 100µA 119nC @ 10V ±30V 2600pF @ 25V
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40W (Tc) 150°C (TJ) Orificio pasante I2PAKFP (TO-281) TO-262-3 conductores formados, I²Pak
STFI20N65M5 Datasheet STFI20N65M5 - STMicroelectronics 497-13533-ND STFI20N65M5 MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP 1.463 - Inmediata Disponible: 1.463 3,49000 €
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Tubo MDmesh™ V Obsoleto Canal N MOSFET (óxido de metal) 650V 18 A (Tc) 10V 190mOhm a 9A, 10V 5V a 250µA 45nC @ 10V ±25V 1345pF @ 100V
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130W (Tc) 150°C (TJ) Orificio pasante I2PAKFP (TO-281) TO-262-3 conductores formados, I²Pak
STFI20NM65N Datasheet STFI20NM65N - STMicroelectronics 497-14556-5-ND STFI20NM65N MOSFET N-CH 650V 15A I2PAK-FP 1.500 - Inmediata Disponible: 1.500 4,31000 €
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Tubo MDmesh™ II Obsoleto Canal N MOSFET (óxido de metal) 650V 15 A (Tc) 10V 270mOhm a 7.5A, 10V 4V a 250µA 44nC @ 10V ±25V 1280pF @ 50V
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30W (Tc) 150°C (TJ) Orificio pasante I2PAKFP (TO-281) TO-262-3 conductores formados, I²Pak
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