Arreglos FET, MOSFET

Demostración

de 5.753

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Configuración	Característica de FET	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor

SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	335.432 En stock	1 : 0,12000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03208 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	60V	300mA	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6nC a 4.5V	40pF a 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	113.535 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05034 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	60V	230mA	7.5Ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	54.649 En stock	1 : 0,20000 € Cinta cortada (CT) 4.000 : 0,05025 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V	20V	800mA (Ta)	235mOhm a 800mA, 4.5V, 390mOhm a 800mA, 4.5V	1V a 1mA	1nC a 10V	55pF a 10V, 100pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	ES6
2N7002PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	1.978 En stock	1 : 0,20000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04948 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	320mA	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.4V a 250µA	0.8nC a 4.5V	50pF a 10V	420mW	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	190.573 En stock	1 : 0,21000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05356 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V	20V	250mA (Ta)	2.2Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 1mA	-	12pF a 10V	300mW	150°C	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
PMDXB600UNEZ MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Nexperia USA Inc.	37.245 En stock	1 : 0,21000 € Cinta cortada (CT) 5.000 : 0,05028 € Cinta y rollo (TR) 1 : 0,24000 € Cinta cortada (CT)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	600mA	620mOhm a 600mA, 4.5V	950mV a 250µA	0.7nC a 4.5V	21.3pF a 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Placa descubierta 6-XFDFN	DFN1010B-6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	4.848 En stock	1 : 0,21000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05771 € Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	300mA	3Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6N44FE,LM MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	140.621 En stock	1 : 0,22000 € Cinta cortada (CT) 4.000 : 0,05640 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	30V	100mA	4Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	-	8.5pF a 3V	150mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	ES6
BSS138PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	318.342 En stock	1 : 0,23000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,06098 € Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	320mA	1.6Ohm a 300mA, 10V	1.5V a 250µA	0.8nC a 4.5V	50pF a 10V	420mW	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	48.979 En stock 1.290.000 Fábrica	1 : 0,24000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,06363 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	20V	1.07A, 845mA	450mOhm a 600mA, 4.5V	1V a 250µA	0.74nC a 4.5V	60.67pF a 10V	330mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	742.948 En stock	1 : 0,26000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05553 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.2V	50V	200mA	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	335.767 En stock	1 : 0,26000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,07067 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V	50V	200mA	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	163.795 En stock	1 : 0,26000 € Cinta cortada (CT) 8.000 : 0,06237 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V	50V	200mA	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	EMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	99.345 En stock 3.012.000 Fábrica	1 : 0,26000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,06929 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	30V	3.4 A, 2.8 A	60mOhm a 3.1A, 10V	2.3V a 250µA	13nC a 10V	400pF a 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	TSOT-26
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	6.168 En stock 2.505.000 Fábrica	1 : 0,26000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,07014 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	30V	3.8 A, 2.5 A	55mOhm a 3.4A, 10V	1.5V a 250µA	12.3nC a 10V	422pF a 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	TSOT-26
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	130.063 En stock	1 : 0,29000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,07666 € Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	880mA	400mOhm a 880mA, 2.5V	750mV a 1.6µA	0.26nC a 2.5V	78pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
PMGD290XN,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	68.880 En stock	1 : 0,29000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,07754 € Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	860mA	350mOhm a 200mA, 4.5V	1.5V a 250µA	0.72nC a 4.5V	34pF a 20V	410mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002BKV,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 Nexperia USA Inc.	34.758 En stock	1 : 0,29000 € Cinta cortada (CT) 4.000 : 0,07518 € Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	340mA	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6nC a 4.5V	50pF a 10V	350mW	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	454.072 En stock	1 : 0,29000 € Cinta cortada (CT) 4.000 : 0,07745 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	20V	540mA	550mOhm a 540mA, 4.5V	1V a 250µA	2.5nC a 4.5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	94.193 En stock	1 : 0,29000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,08095 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	115mA	7.5Ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	28.678 En stock	1 : 0,29000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,08075 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	630mA	375mOhm a 630mA, 4.5V	1.5V a 250µA	3nC a 4.5V	46pF a 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SSM6L14FE(TE85L,F) MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	20.395 En stock	1 : 0,29000 € Cinta cortada (CT) 4.000 : 0,07651 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V	20V	800mA (Ta), 720mA (Ta)	240mOhm a 500mA, 4.5V, 300mOhm a 400mA, 4.5V	1V a 1mA	2nC a 4.5V, 1.76nC a 4.5V	90pF a 10V, 110pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	ES6
BSD235NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Infineon Technologies	35.268 En stock	1 : 0,30000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,08284 € Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	950mA	350mOhm a 950mA, 4.5V	1.2V a 1.6µA	0.32nC a 4.5V	63pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	34.436 En stock	1 : 0,30000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,08177 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	30V	400mA, 200mA	700mOhm a 200 MA, 10V	1.8V a 100µA	-	20pF a 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	76.474 En stock	1 : 0,31000 € Cinta cortada (CT) 4.000 : 0,08278 € Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	800mA	380mOhm a 500mA, 4.5V	950mV a 250µA	0.68nC a 4.5V	83pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-666

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de 5.753

Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.

Arreglos FET, MOSFET

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