Transistores - JFET

Resultados : 756
Central Semiconductor CorpFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesLinear SystemsMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics America IncRohm Semiconductor
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-*Automotive, AEC-Q101Military, MIL-PRF-19500Military, MIL-PRF-19500/295Military, MIL-PRF-19500/375Military, MIL-PRF-19500/385Military, MIL-PRF-19500/431
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BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
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Estado de la pieza
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
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Tipo FET
Dos canal N (doble)-Canal NCanal P
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Voltaje - Perturbación del suministro (V(BR)GSS)
15 V20 V22 V25 V30 V35 V40 V50 V650 V1200 V
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
0.6 V15 V20 V25 V30 V35 V40 V50 V55 V650 V1200 V
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Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0)
1.4 µA @ 10 V1.5 µA @ 1200 V3.3 µA @ 1200 V5 µA @ 1200 V30 µA @ 10 V50 µA @ 10 V50 µA @ 20 V60 µA @ 10 V80 µA @ 10 V100 µA @ 2 V100 µA @ 5 V
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Consumo de corriente (Id) - Máximo
100 pA250 pA1 mA2 mA5 mA6.5 mA10 mA20 mA30 mA50 mA26 A32 A33.5 A
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Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id
0 V @ 10 µA100 mV @ 1 µA100 mV @ 10 µA180 mV @ 1 µA200 mV @ 1 µA200 mV @ 100 nA200 mV @ 100 µA300 mV @ 10 nA300 mV @ 100 nA300 mV @ 100 µA400 mV @ 100 nA
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
0.7pF a 10V1pF a 10V1.7pF a 10V2.2pF a 15V3pF a 10V3.1pF a 2V3.5pF a 2V3.5pF a 5V4pF a 10V4pF a 15V4.1pF a 5V4.5pF a 15V4.9pF a 5V
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Resistencia - RDS (Encendido)
33 mOhms45 mOhms55 mOhms70 mOhms90 mOhms95 mOhms100 mOhms3 Ohms5 Ohms6 Ohms7 Ohms
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Potencia - Máx.
30 mW100 mW125 mW150 mW190 mW200 mW225 mW250 mW300 mW310 mW325 mW
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Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 135°C (TJ)-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-65°C ~ 200°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 85°C (TA)-20°C ~ 80°C (TA)125°C (TJ)
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Tipo de montaje
-Montaje en superficieOrificio pasante
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Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, conductor plano3-SMD, sin conductor3-SSIP3-XFDFN4-SMD, sin conductor5-SMD, conductores planos5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-TSSOP, SC-88, SOT-3638-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)-MoldeSC-70, SOT-323SC-72
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Paquete del dispositivo del proveedor
3-CP3-CPH3-MCPH3-MPAK3-SPA3-UB (3.09x2.45)3-USFP3-VTFP4-SMD5-MCPH6-CPH6-TSSOP8-SOIC
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Resultados por página
25
Página 1/31
Estado de la pieza
Tipo FET
Voltaje - Perturbación del suministro (V(BR)GSS)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0)
Consumo de corriente (Id) - Máximo
Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Resistencia - RDS (Encendido)
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3
MMBFJ112
JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
0,37000 €
11.785 -
onsemionsemi
1
MMBFJ112TR-ND
MMBFJ112CT-ND
MMBFJ112DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SOT-23-3
MMBFJ201
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
0,43000 €
8.708 -
onsemionsemi
1
MMBFJ201TR-ND
MMBFJ201CT-ND
MMBFJ201DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N40 V-200 µA @ 20 V-300 mV @ 10 nA--350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SOT-23-3
MMBF4117
JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
0,47000 €
35.183 -
onsemionsemi
1
MMBF4117TR-ND
MMBF4117CT-ND
MMBF4117DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N40 V-30 µA @ 10 V-600 mV @ 1 nA3pF a 10V-225 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
0,55000 €
17.550 -
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-Y(TE85LF)TR-ND
2SK880-Y(TE85LF)CT-ND
2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N50 V-1.2 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF a 10V-100 mW125°C (TJ)Montaje en superficieSC-70, SOT-323USM
TO-206AA TO-18-3
2N4392 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
2,77000 €
15.381 -
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4392PBFREE-ND
-
Granel
ActivoCanal N40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF a 20V60 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-206AA, TO-18-3, carcasa metálicaTO-18
TO-206AA TO-18-3
2N4393 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
2,82000 €
2.399 -
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4393PBFREE-ND
-
Granel
ActivoCanal N40 V-5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF a 20V100 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-206AA, TO-18-3, carcasa metálicaTO-18
TO-92-3 Formed Leads
J111-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
0,45000 €
21.366 -
54.000 -
onsemionsemi
1
J111-D26ZTR-ND
J111-D26ZCT-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ActivoCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formadosTO-92-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MMBF4392LT1G
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
0,38000 €
17.444 -
onsemionsemi
1
MMBF4392LT1GOSTR-ND
MMBF4392LT1GOSCT-ND
MMBF4392LT1GOSDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N30 V30 V25 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA14pF a 15V60 Ohms225 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
0,38000 €
18.376 -
onsemionsemi
1
J113-D74ZCT-ND
J113-D74ZTB-ND
-
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
ActivoCanal N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formadosTO-92-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
0,39000 €
8.656 -
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-Y(TE85LF)TR-ND
2SK879-Y(TE85LF)CT-ND
2SK879-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N--1.2 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8.2pF a 10V-100 mW125°C (TJ)Montaje en superficieSC-70, SOT-323USM
TO-92-3 Formed Leads
J109-D26Z
JFET N-CH 25V 625MW TO92
0,49000 €
3.431 -
onsemionsemi
1
J109-D26ZTR-ND
J109-D26ZCT-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ActivoCanal N25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formadosTO-92-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-BL(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
0,55000 €
4.015 -
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-BL(TE85LF)TR-ND
2SK880-BL(TE85LF)CT-ND
2SK880-BL(TE85LF)DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N50 V-6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF a 10V-100 mW125°C (TJ)Montaje en superficieSC-70, SOT-323SC-70
SOT-23-3
NSVJ3910SB3T1G
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
0,55000 €
6.622 -
onsemionsemi
1
NSVJ3910SB3T1GOSTR-ND
NSVJ3910SB3T1GOSCT-ND
NSVJ3910SB3T1GOSDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF a 5V-400 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
SC-74A, SOT-753
2SK2145-Y(TE85L,F)
MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
0,63000 €
4.724 -
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK2145-Y(TE85LF)TR-ND
2SK2145-Y(TE85LF)CT-ND
2SK2145-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)--1.2 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF a 10V-300 mW125°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SMV
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
0,38000 €
5.807 -
onsemionsemi
1
J113FS-ND
-
Granel
ActivoCanal N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
0,41000 €
8.613 -
onsemionsemi
1
J112FS-ND
-
Granel
ActivoCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J109
JFET N-CH 25V 625MW TO92
0,42000 €
7.711 -
onsemionsemi
1
J109FS-ND
-
Granel
ActivoCanal N25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
0,44000 €
38.773 -
50.000 -
onsemionsemi
1
J111FS-ND
-
Granel
ActivoCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
3,88000 €
115 -
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
2N4858A-ND
-
Granel
ActivoCanal N40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF a 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C ~ 200°C (TJ)Orificio pasanteTO-206AA, TO-18-3, carcasa metálicaTO-18
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-GR(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
0,39000 €
5.559 -
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-GR(TE85LF)TR-ND
2SK879-GR(TE85LF)CT-ND
2SK879-GR(TE85LF)DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8.2pF a 10V-100 mW125°C (TJ)Montaje en superficieSC-70, SOT-323USM
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
TF222B-B4-TL-E-ON
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
0,01764 €
6.256.000 -
Rochester Electronics, LLConsemi
15.000
2156-TF222B-B4-TL-E-ON-ND
*
Granel
Activo-------------
TRANSISTOR
FJZ594JCTF
TRANSISTOR
0,01764 €
1.314.000 -
Rochester Electronics, LLCFairchild Semiconductor
15.000
2156-FJZ594JCTF-ND
-
Granel
ObsoletoCanal N20 V-150 µA @ 5 V1 mA600 mV @ 1 µA3.5pF a 5V-100 mW150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-623FSOT-623F
TRANSISTOR
FJZ594JBTF
TRANSISTOR
0,01764 €
687.000 -
Rochester Electronics, LLCFairchild Semiconductor
15.000
2156-FJZ594JBTF-ND
-
Granel
ObsoletoCanal N20 V-150 µA @ 5 V1 mA600 mV @ 1 µA3.5pF a 5V-100 mW150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-623FSOT-623F
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
TF222B-B4-TL-E
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
0,01764 €
64.000 -
Rochester Electronics, LLCSanyo
15.000
2156-TF222B-B4-TL-E-ND
*
Granel
Activo-------------
DCG010-TL-E
FJX597JHTF
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
0,01764 €
56.000 -
Rochester Electronics, LLCFairchild Semiconductor
15.000
2156-FJX597JHTF-ND
-
Granel
ObsoletoCanal N20 V-150 µA @ 5 V1 mA600 mV @ 1 µA3.5pF a 5V-100 mW150°C (TJ)Montaje en superficieSC-70, SOT-323SOT-323
Resultados por página
25
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