Arreglos FET, MOSFET

Resultados : 5.612
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Embalaje
BandejaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tecnología
-Carburo de silicio (SiC)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Configuración
2 Canal N (conexión de fase)2 Canal N, drenaje común2 canal N (doble), canal P2 canal N (dual), asimétrico2 canal N (dual), drenaje común2 canal N (interruptor modulador reductor doble)2 canal P (dual), drenaje común2 canal P (medio puente)2 canales N (en cascada)2 canales N (medio puente)2 canales N y 2 canales P2 canales N
Característica de FET
-Carburo de silicio (SiC)Compuerta de nivel lógicoCompuerta de nivel lógico, controlador de 0.9VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.2VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.8VCompuerta de nivel lógico, controlador de 10VCompuerta de nivel lógico, controlador de 2.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4VCompuerta de nivel lógico, controlador de 5VModo de exclusión
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5.5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.46mOhm a 160A, 12V0.762mOhm a 160A, 12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.710mOhm @ 160A, 12V0.8mOhm a 1200A, 10V0.88mOhm @ 50A, 10V0.88mOhm a 160A, 14V, 0.71mOhm a 160A, 14V0.95mOhm a 30A, 10V0.95mOhm a 8A, 4.5V0.99mOhm a 80A, 10V, 1.35mOhm a 80A, 10V1.039mOhm a 160A, 12V, 762µOhm a 160A, 12V1.2mOhm a 800A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2.8A, 200mV a 1.9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.4pC a 4.5V, 7.3nC a 4.5V0.45 pC a 4.5V0.16nC a 5V, 0.044nC a 5V0.22nC a 5V, 0.044nC a 5V0.26nC a 2.5V0.28nC a 4.5V0.28nC a 4.5V, 0.3nC a 4.5V0.3nC a 4.5V0.3nC a 4.5V, 0.28nC a 4.5V0.304nC a 4.5V0.31nC a 4.5V0.32nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6.2pF a 10V6.6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7.1pF a 10V7.4pF a 10V7.5pF a 10V8.5pF a 3V
Potencia - Máx.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
4-SMD, sin conductor4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP
Paquete del dispositivo del proveedor
4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1.2x1.2)4-AlphaDFN (1.9x1.3)4-BGA (1x1)4-CSP (0.8x0.8)4-CSP (1.11x1.11)4-CSP (1.1x1.1)4-CSP (1.29x1.29)4-CSP (1.74x1.74)4-DFN (1.5x1.5)4-DFN (1.7x1.7)4-EFCP (1.01x1.01)
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
5.612Resultados

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tecnología
Configuración
Característica de FET
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
379.431
En stock
1 : 0,24000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,05398 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V50V200mA2.2Ohm a 200mA, 4.5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)--Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
179.488
En stock
1 : 0,31000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,05685 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)-60V230mA7.5Ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V310mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 363
DMC2004DWK-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
259.137
En stock
135.000
Fábrica
1 : 0,32000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,09696 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y PCompuerta de nivel lógico20V540mA, 430mA550mOhm a 540mA, 4.5V1V a 250µA-150pF a 16V250mW-65°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71.822
En stock
1 : 0,32000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,08758 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V610mA (Ta)396mOhm a 500mA, 4.5V1V a 250µA2nC a 8V43pF a 10V220mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
59.844
En stock
1 : 0,33000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,08903 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)-30V250mA1.5Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA1.3nC a 5V33pF a 5V272mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
28.569
En stock
1 : 0,33000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,05959 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V320mA1.6Ohm a 500mA, 10V2.4V a 250µA0.8nC a 4.5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q100Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
360.100
En stock
1 : 0,34000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,06136 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V20V250mA (Ta)2.2Ohm a 100mA, 4.5V1V a 1mA-12pF a 10V300mW150°C--Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251.507
En stock
25.000
Fábrica
1 : 0,34000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,09195 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico30V3.9A70mOhm a 5.3A, 10V3V a 250µA11nC a 10V563pF a 25V1.1W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-SO
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
100.212
En stock
1 : 0,35000 €
Cinta cortada (CT)
8.000 : 0,07508 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V50V200mA2.2Ohm a 200mA, 4.5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-563, SOT-666EMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
56.537
En stock
1 : 0,36000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,07896 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y PCompuerta de nivel lógico30V3.8 A, 2.5 A55mOhm a 3.4A, 10V1.5V a 250µA12.3nC a 10V422pF a 15V850mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-6 delgado, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
30.209
En stock
1 : 0,36000 €
Cinta cortada (CT)
4.000 : 0,09750 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y PCompuerta de nivel lógico20V540mA, 430mA550mOhm a 540mA, 4.5V1V a 250µA2.5nC a 4.5V150pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
170.729
En stock
2.706.000
Fábrica
1 : 0,37000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,06641 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y PCompuerta de nivel lógico20V1.03A, 700mA480mOhm a 200mA, 5V900mV a 250µA0.5nC a 4.5V37.1pF a 10V450mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
65.977
En stock
342.000
Fábrica
1 : 0,37000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,09969 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)-60V280mA7.5Ohm a 50mA, 5V2.5V a 250µA-50pF a 25V150mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
51.992
En stock
1 : 0,37000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,09954 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)2 canales N-30V5A32mOhm a 5.8A, 10V1.5V a 250µA-1155pF a 15V1.4W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficiePlaca descubierta 6-VDFNDFN2020-6L
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
29.681
En stock
1 : 0,37000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,12381 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V370mA1.4Ohm a 340mA, 10V2.5V a 250µA1.4nC a 10V18.5pF a 30V510mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
25.936
En stock
1 : 0,37000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,12573 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)-30V6.2A30mOhm a 5.8A, 10V2V a 250µA10.6nC a 10V500pF a 15V1W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficiePlaca descubierta 6-UDFNU-DFN2020-6 (típico B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
104.879
En stock
1 : 0,38000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,06821 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V300mA3Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA0.6nC a 10V20pF a 25V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
68.917
En stock
1 : 0,38000 €
Cinta cortada (CT)
4.000 : 0,06858 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V100mA4Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-8.5pF a 3V150mW150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
65.887
En stock
1 : 0,38000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,06758 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico50V160mA7.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.35nC a 5V36pF a 25V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1.894
En stock
1 : 0,38000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,10217 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y PCompuerta de nivel lógico30V700mA, 500mA388mOhm a 600mA, 10V2.5V a 250µA1.5nC a 10V28pF a 15V340mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
349.978
En stock
1 : 0,39000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,06932 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V320mA1.6Ohm a 300mA, 10V1.5V a 250µA0.8nC a 4.5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
257.410
En stock
1 : 0,39000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,07047 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V300mA (Ta)1.6Ohm a 500mA, 10V2.1V a 250µA0.6nC a 4.5V50pF a 10V295mW150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
173.220
En stock
1 : 0,39000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,13206 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y P, drenaje comúnCompuerta de nivel lógico30V6 A, 5.5 A30mOhm a 6A, 10V2.4V a 250µA6.3nC a 10V310pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-SOIC
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
107.980
En stock
1 : 0,39000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,12986 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico50V510mA2Ohm a 510mA, 10V2.5V a 250µA1nC a 10V20pF a 25V700mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-6 delgado, TSOT-23-6SuperSOT™-6
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
73.478
En stock
1 : 0,39000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,08597 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V860mA350mOhm a 200mA, 4.5V1.5V a 250µA0.72nC a 4.5V34pF a 20V410mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
Demostración
de 5.612

Arreglos FET, MOSFET


Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.