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Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Característica de FET
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
EPC
2.331
En stock
1 : 1,84000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,84790 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canales N (medio puente)GaNFET (Nitrito de galio)100V1.7A70mOhm a 2A, 5V2.5V a 600µA0.73nC a 5V75pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
EPC
15.015
En stock
1 : 2,39000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,10529 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoFuente común de 2 canales N (doble)GaNFET (Nitrito de galio)120V3.4A60mOhm a 4A, 5V2.5V a 700µA0.8nC a 5V80pF a 60V--40°C ~ 150°C (TJ)-MoldeMolde
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC
1.548
En stock
1 : 9,25000 €
Cinta cortada (CT)
500 : 6,02360 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canales N (medio puente)GaNFET (Nitrito de galio)100V23A6.3mOhm a 20A, 5V2.5V a 5.5mA7nC a 5V800pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Rohm Semiconductor
77
En stock
1 : 860,55000 €
Bandeja
-
Bandeja
Activo2 canales N (medio puente)Carburo de silicio (SiC)1200V (1.2kV)300 A (Tc)-4V a 68mA-35000pF a 10V1875W-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje de chasisMóduloMódulo
SOT-363
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Micro Commercial Co
735
En stock
1 : 0,38000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,06793 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar60V115mA7.5Ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V200mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Toshiba Semiconductor and Storage
63.381
En stock
1 : 0,40000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,07603 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V20V250mA (Ta)2.2Ohm a 100mA, 4.5V1V a 1mA-12pF a 10V300mW150°CMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
371.434
En stock
1 : 0,40000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,08217 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.2V50V200mA2.2Ohm a 200mA, 4.5V1V a 1mA-25pF a 10V120mW150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
220.076
En stock
1 : 0,44000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,08283 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico20V1.34 A, 1.14 A400mOhm a 600mA, 4.5V1V a 250µA0.74nC a 4.5V60.67pF a 16V1.12W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
258.867
En stock
1 : 0,41000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,09194 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V50V200mA2.2Ohm a 200mA, 4.5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
123.026
En stock
1 : 0,47000 €
Cinta cortada (CT)
4.000 : 0,08883 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico20V500mA, 330mA630mOhm a 200mA, 5V1V a 1mA1.23nC a 4V46pF a 10V150mW150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
0
En stock
1 : 0,52000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,09771 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V350mA1.4Ohm a 350mA, 4.5V1.1V a 250µA0.68nC a 4.5V50pF a 15V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008PBKS,115
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
2.720
En stock
1 : 0,52000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,09771 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico30V200mA4.1Ohm a 200mA, 4.5V1.1V a 250µA0.75nC a 4.5V46pF a 15V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
40.632
En stock
1 : 0,55000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,10175 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V300mA3Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA0.6nC a 10V20pF a 25V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
217.185
En stock
1 : 0,40000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,11542 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico30V3.9A70mOhm a 5.3A, 10V3V a 250µA11nC a 10V563pF a 25V1.1W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
226.144
En stock
1 : 0,43000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,12291 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V880mA400mOhm a 880mA, 2.5V750mV a 1.6µA0.26nC a 2.5V78pF a 10V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT-563
DMN2004VK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Diodes Incorporated
2.603
En stock
1 : 0,47000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,13466 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V540mA550mOhm a 540mA, 4.5V1V a 250µA-150pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
Diodes Incorporated
131.570
En stock
560.000
Factory
1 : 0,46000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,14308 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico30V220mA, 200mA1.5Ohm a 100mA, 4.5V1V a 250µA0.38nC a 4.5V22.6pF a 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-963SOT-963
SOT-563
DMP2004VK-7
MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563
Diodes Incorporated
86.046
En stock
1 : 0,50000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,14327 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20V530mA900mOhm a 430mA, 4.5V1V a 250µA-175pF a 16V400mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
56.460
En stock
1 : 0,52000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,14840 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar30V4A46mOhm a 2A, 4.5V1V a 1mA4nC a 4.5V310pF a 10V1W150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-WDFN6-µDFN (2x2)
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
Diodes Incorporated
174.549
En stock
72.000
Factory
1 : 0,46000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,16264 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V540mA550mOhm a 540mA, 4.5V1V a 250µA-150pF a 16V225mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
248.594
En stock
1 : 0,46000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,16522 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y P, drenaje comúnCompuerta de nivel lógico30V6 A, 5.5 A30mOhm a 6A, 10V2.4V a 250µA6.3nC a 10V310pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-SO
DMC3025LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
66.565
En stock
1 : 0,51000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,18071 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico30V6.5 A, 4.2 A20mOhm a 7.4A, 10V2V a 250µA9.8nC a 10V501pF a 15V1.2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
SOT 26
DMG6968UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26
Diodes Incorporated
0
En stock
1 : 0,51000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,18071 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canal N (dual), drenaje comúnCompuerta de nivel lógico20V6.5A24mOhm a 6.5A, 4.5V900mV a 250µA8.8nC a 4.5V143pF a 10V850mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
SOT1118
PMCPB5530X,115
MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
Nexperia USA Inc.
79.450
En stock
1 : 0,53000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,18983 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y P-20V4A (Ta), 3.4A (Ta)34mOhm a 3A, 4.5V900mV a 250µA21.7nC a 4.5V660pF a 10V490mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-UFDFN6-HUSON (2x2)
SOT-563
FDY1002PZ
MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F
onsemi
1.332
En stock
1 : 0,56000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,19740 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20V830mA500mOhm a 830mA, 4.5V1V a 250µA3.1nC a 4.5V135pF a 10V446mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563F
Demostración
1 - 25
de 5.528

Transistores - FET - MOSFET - Matrices


Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.