Transistores - FET - MOSFET - Matrices

Resultados : 4.266
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedEPCGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi Corporation
Borrar
Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
Borrar
Embalaje
-BandejaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Borrar
Estado de la pieza
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Borrar
Tipo FET
2 Canal N (conexión de fase)2 canal N (dual), asimétrico2 canal N (dual), drenaje común2 canal N (interruptor modulador reductor doble)2 canal P (dual), drenaje común2 canales N (en cascada)2 canales N (medio puente)2 canales N y 2 canales P (puente H)2 canales N y 2 canales P2 canales NDos canal N (doble)Dos canal N (doble), schottkyDos canal P (doble)
Borrar
Característica de FET
-Carburo de silicio (SiC)Compuerta de nivel lógicoCompuerta de nivel lógico, controlador de 0.9VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.2VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.8VCompuerta de nivel lógico, controlador de 2.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4VCompuerta de nivel lógico, controlador de 5VEstándarGaNFET (Nitrito de galio)
Borrar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
Borrar
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5.5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA115mA, 130mA120mA
Borrar
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.8mOhm a 1200A, 10V0.95mOhm a 30A, 10V0.95mOhm a 8A, 4.5V1mOhm a 38A, 10V1.25mOhm a 35A, 10V1.3mOhm a 100A, 10V1.5mOhm a 33A, 10V1.6mOhm a 10A, 4.5V1.6mOhm a 40A, 10V1.66mOhm a 80A, 10V1.73mOhm a 760A, 15V1.8mOhm a 5A, 4.5V1.9mOhm a 8A, 4.5V
Borrar
Vgs(th) (máx) a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)420mV a 1µA450mV a 100µA (mín.)
Borrar
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.1pC a 4.5V, 0.7pC a 4.5V0.4pC a 4.5V, 7.3nC a 4.5V0.45 pC a 4.5V0.16nC a 5V, 0.044nC a 5V0.22nC a 5V, 0.044nC a 5V0.26nC a 2.5V0.3nC a 4.5V0.304nC a 4.5V0.31nC a 4.5V0.32nC a 4.5V0.34nC a 4.5V0.35nC a 4.5V0.35nC a 5V
Borrar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.5pF a 5V3pF a 5V6pF a 3V6.2pF a 10V6.6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7.1pF a 10V7.4pF a 10V7.5pF a 10V8.5pF a 3V9pF a 15V9.1pF a 3V
Borrar
Potencia - Máx.
10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)200mW
Borrar
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 125°C (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)
Borrar
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Borrar
Paquete / Caja (carcasa)
4-SMD, sin conductor4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSPPlaca descubierta 4-VFDFN5-LGA
Borrar
Paquete del dispositivo del proveedor
4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1.2x1.2)4-BGA (1x1)4-DFN (1.5x1.5)4-DFN (1.7x1.7)4-EFCP (1.01x1.01)4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)4-Picostar (1.31x1.31)4-QFN (2x2)4-WLCSP (1.26x1.26)4-WLCSP (1.57x1.57)
Borrar
Opciones de almacenamiento
Medios de comunicación
Opciones ambientales
PRODUCTO DEL MERCADO
Resultados por página
25
Página 1/171
Comparar
Número de parte del fabricante
Precio
Stock
Proveedor
Fabricante
Cantidad mínima
N.º de pieza de DK
Serie
Paquete
Estado de la pieza
Tipo FET
Característica de FET
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
1,62000 €
40.419 - Immediate
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canales N (medio puente)GaNFET (Nitrito de galio)100V1.7A70mOhm a 2A, 5V2.5V a 600µA0.73nC a 5V75pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
0,36000 €
10.741 - Immediate
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-6480-2-ND
1727-6480-1-ND
1727-6480-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico50V160mA7.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.35nC a 5V36pF a 25V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT666
NX3020NAKV,115
MOSFET 2N-CH 30V 200MA SOT666
0,39000 €
0 - Immediate
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1287-2-ND
1727-1287-1-ND
1727-1287-6-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V200mA4.5Ohm a 100mA, 10V1.5V a 250µA0.44nC a 4.5V13pF a 10V375mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-666
SOT-353
DMN32D2LDF-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
0,36000 €
92.800 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN32D2LDF-7DITR-ND
DMN32D2LDF-7DICT-ND
DMN32D2LDF-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoFuente común de 2 canales N (doble)Compuerta de nivel lógico30V400mA1.2Ohm a 100mA, 4V1.2V a 250µA-39pF a 3V280mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SOT-353
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
0,36000 €
116.942 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3085LSD-13DITR-ND
DMP3085LSD-13DICT-ND
DMP3085LSD-13DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico30V3.9A70mOhm a 5.3A, 10V3V a 250µA11nC a 10V563pF a 25V1.1W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
0,41000 €
5.501 - Immediate
920.000 - Factory
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico30V220mA, 200mA1.5Ohm a 100mA, 4.5V1V a 250µA0.38nC a 4.5V22.6pF a 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
0,44000 €
56.998 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar12V5.6A29mOhm a 5A, 4.5V1V a 250µA19.6nC a 8V914pF a 6V1.4W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-UDFNU-DFN2020-6 (típico B)
Pkg 5880
SI1016X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
0,43000 €
9.859 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1016X-T1-GE3TR-ND
SI1016X-T1-GE3CT-ND
SI1016X-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico20V485mA, 370mA700mOhm a 600mA, 4.5V1V a 250µA0.75nC a 4.5V-250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
8-SO
DMG9926USD-13
MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
0,45000 €
32.891 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926USD-13DITR-ND
DMG9926USD-13DICT-ND
DMG9926USD-13DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V8A24mOhm a 8.2A, 4.5V900mV a 250µA8.8nC a 4.5V867pF a 15V1.3W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
0,47000 €
12.245 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1025X-T1-GE3TR-ND
SI1025X-T1-GE3CT-ND
SI1025X-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico60V190mA4Ohm a 500mA, 10V3V a 250µA1.7nC a 15V23pF a 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
TSOT-23-6, TSOT-6
SQ3989EV-T1_GE3
MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP
0,51000 €
1.000 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SQ3989EV-T1_GE3TR-ND
SQ3989EV-T1_GE3CT-ND
SQ3989EV-T1_GE3DKR-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Estándar30V2.5 A (Tc)155mOhm a 400mA, 10V1.5V a 250µA11.1nC a 10V-1.67W-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6 delgado, TSOT-23-66-TSOP
SC-70-6
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
0,56000 €
22.830 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1900DL-T1-E3TR-ND
SI1900DL-T1-E3CT-ND
SI1900DL-T1-E3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V590mA480mOhm a 590mA, 10V3V a 250µA1.4nC a 10V-270mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
0,60000 €
53.149 - Immediate
onsemionsemi
1
NTUD3174NZT5GOSTR-ND
NTUD3174NZT5GOSCT-ND
NTUD3174NZT5GOSDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar20V220mA (Ta)1.5Ohm a 100mA, 4.5V1V a 100µA-12.5pF a 15V125mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-963SOT-963
8-SOIC
AO4840
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
0,66000 €
21.592 - Immediate
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1063-2-ND
785-1063-1-ND
785-1063-6-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico40V6A30mOhm a 6A, 10V3V a 250µA10.8nC a 10V650pF a 20V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7507TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
0,68000 €
72.541 - Immediate
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7507TRPBFTR-ND
IRF7507TRPBFCT-ND
IRF7507TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico20V2.4 A, 1.7 A140mOhm a 1.7A, 4.5V700mV a 250µA8nC a 4.5V260pF a 15V1.25W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-TSSOP, 8-MSOP (ancho 0.118", 3.00mm)Micro8™
8-SOIC
AO4612
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
0,83000 €
1 - Immediate
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1041-2-ND
785-1041-1-ND
785-1041-6-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico60V4.5 A, 3.2 A56mOhm a 4.5A, 10V3V a 250µA10.5nC a 10V540pF a 30V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-SOIC
AO4805
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
0,86000 €
20.240 - Immediate
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1055-2-ND
785-1055-1-ND
785-1055-6-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico30V9A19mOhm a 8A, 10V2.8V a 250µA39nC a 10V2600pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
FDMAxxxxxZ
FDMA1023PZ
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
0,79000 €
1.085 - Immediate
onsemionsemi
1
FDMA1023PZTR-ND
FDMA1023PZCT-ND
FDMA1023PZDKR-ND
PowerTrench®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20V3.7A72mOhm a 3.7A, 4.5V1.5V a 250µA12nC a 4.5V655pF a 10V700mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-VDFN6-MicroFET (2x2)
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7232DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
0,84000 €
11.217 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI7232DN-T1-GE3TR-ND
SI7232DN-T1-GE3CT-ND
SI7232DN-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V25A16.4mOhm a 10A, 4.5V1V a 250µA32nC a 8V1220pF a 10V23W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePowerPAK® 1212-8 DualPowerPAK® 1212-8 Dual
8-SOIC
AO4813
MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC
0,81000 €
4.882 - Immediate
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1058-2-ND
785-1058-1-ND
785-1058-6-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico30V7.1A25mOhm a 7.1A, 10V2.5V a 250µA19nC a 10V1250pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-SOIC
SI4590DY-T1-GE3
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
0,89000 €
4.017 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI4590DY-T1-GE3TR-ND
SI4590DY-T1-GE3CT-ND
SI4590DY-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y P-100V3.4 A, 2.8 A57mOhm a 2A, 10V2.5V a 250µA11.5nC a 10V360pF a 50V2.4W, 3.4W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
0,89000 €
83.786 - Immediate
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7530TRPBFTR-ND
IRF7530TRPBFCT-ND
IRF7530TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar20V5.4A30mOhm a 5.4A, 4.5V1.2V a 250µA26nC a 4.5V1310pF a 15V1.3W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-TSSOP, 8-MSOP (ancho 0.118", 3.00mm)Micro8™
MFG_6-VDFN-Exposed-Pad
TSM250N02DCQ RFG
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
0,94000 €
51.173 - Immediate
Taiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation
1
TSM250N02DCQRFGTR-ND
TSM250N02DCQRFGCT-ND
TSM250N02DCQRFGDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar20V5.8 A (Tc)25mOhm a 4A, 4.5V800mV a 250µA7.7nC a 4.5V775pF a 10V620mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-VDFN6-TDFN (2x2)
8-SOIC
IRF7309TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
0,92000 €
28.000 - Immediate
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7309PBFTR-ND
IRF7309PBFCT-ND
IRF7309PBFDKR-ND
HEXFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PEstándar30V4A, 3A50mOhm a 2.4A, 10V1V a 250µA25nC a 4.5V520pF a 15V1.4W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
IRF7301TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
0,92000 €
27.571 - Immediate
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7301PBFTR-ND
IRF7301PBFCT-ND
IRF7301PBFDKR-ND
HEXFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V5.2A50mOhm a 2.6A, 4.5V700mV a 250µA20nC a 4.5V660pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
Resultados por página
25
Página 1/171