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Serie
Paquete
Product Status
Tecnología
Configuración
Característica de FET
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
EPC
99.317
En stock
1 : 1,58000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,79472 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoGaNFET (Nitrito de galio)2 canales N (medio puente)-100V1.7A70mOhm a 2A, 5V2.5V a 600µA0.73nC a 5V75pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC
2.192
En stock
1 : 8,00000 €
Cinta cortada (CT)
500 : 5,70286 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoGaNFET (Nitrito de galio)2 canales N (medio puente)-100V23A6.3mOhm a 20A, 5V2.5V a 5.5mA7nC a 5V800pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Rohm Semiconductor
75
En stock
1 : 779,31000 €
Bandeja
-
Bandeja
ActivoCarburo de silicio (SiC)2 canales N (medio puente)-1200V (1.2kV)300 A (Tc)-4V a 68mA-35000pF a 10V1875W-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje de chasisMóduloMódulo
620.585
En stock
1 : 0,23000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04352 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)-60V300mA1.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.6nC a 4.5V40pF a 10V285mW150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT-563
SSM6L56FE,LM
SMALL-SIGNAL MOSFET 2 IN 1 NCH +
Toshiba Semiconductor and Storage
11.136
En stock
1 : 0,34000 €
Cinta cortada (CT)
4.000 : 0,06966 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y PCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V20V800mA (Ta)235mOhm a 800mA, 4.5V, 390mOhm a 800mA, 4.5V1V a 1mA1nC a 10V55pF a 10V, 100pF a 10V150mW (Ta)150°CMontaje en superficieSOT-563, SOT-666ES6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Toshiba Semiconductor and Storage
58.091
En stock
1 : 0,36000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,07182 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V20V250mA (Ta)2.2Ohm a 100mA, 4.5V1V a 1mA-12pF a 10V300mW150°CMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
1.294.382
En stock
1 : 0,38000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,07842 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y PCompuerta de nivel lógico20V1.34 A, 1.14 A400mOhm a 600mA, 4.5V1V a 250µA0.74nC a 4.5V60.67pF a 16V1.12W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
33.976
En stock
1 : 0,39000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,08082 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V320mA1.6Ohm a 300mA, 10V1.5V a 250µA0.8nC a 4.5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
181.100
En stock
1 : 0,44000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,08221 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V300mA1.6Ohm a 500mA, 10V2.1V a 250µA0.6nC a 4.5V50pF a 10V295mW150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
45.143
En stock
1 : 0,36000 €
Cinta cortada (CT)
8.000 : 0,08221 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V50V200mA2.2Ohm a 200mA, 4.5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666EMT6
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
53.881
En stock
1 : 0,41000 €
Cinta cortada (CT)
4.000 : 0,08410 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y PCompuerta de nivel lógico20V500mA, 330mA630mOhm a 200mA, 5V1V a 1mA1.23nC a 4V46pF a 10V150mW150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666ES6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
344.044
En stock
1 : 0,36000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,08704 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V50V200mA2.2Ohm a 200mA, 4.5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT666
NX3020NAKV,115
MOSFET 2N-CH 30V 200MA SOT666
Nexperia USA Inc.
12.240
En stock
1 : 0,37000 €
Cinta cortada (CT)
4.000 : 0,08855 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V200mA4.5Ohm a 100mA, 10V1.5V a 250µA0.44nC a 4.5V13pF a 10V375mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT2G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
onsemi
81.134
En stock
1.012.000
Factory
1 : 0,41000 €
Cinta cortada (CT)
4.000 : 0,08860 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y PCompuerta de nivel lógico20V540mA, 430mA550mOhm a 540mA, 4.5V1V a 250µA2.5nC a 4.5V150pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
310.894
En stock
1 : 0,44000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,08935 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V320mA1.6Ohm a 320mA, 10V1.6V a 250µA0.7nC a 4.5V56pF a 10V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
66.272
En stock
1 : 0,46000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,09251 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V350mA1.4Ohm a 350mA, 4.5V1.1V a 250µA0.68nC a 4.5V50pF a 15V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
643.158
En stock
1 : 0,44000 €
Cinta cortada (CT)
4.000 : 0,09383 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)-20V540mA550mOhm a 540mA, 4.5V1V a 250µA2.5nC a 4.5V150pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
onsemi
39.705
En stock
1 : 0,44000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,09436 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V630mA375mOhm a 630mA, 4.5V1.5V a 250µA3nC a 4.5V46pF a 20V270mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
PMGD280UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
128.056
En stock
1 : 0,40000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,09745 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V870mA340mOhm a 200mA, 4.5V1V a 250µA0.89nC a 4.5V45pF a 20V400mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
81.335
En stock
1 : 0,40000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,09747 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V860mA350mOhm a 200mA, 4.5V1.5V a 250µA0.72nC a 4.5V34pF a 20V410mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT 363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
onsemi
305.804
En stock
1 : 0,36000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,09753 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal N (doble)-30V250mA1.5Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA1.3nC a 5V33pF a 5V272mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563-6_463A
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
onsemi
30.740
En stock
1 : 0,47000 €
Cinta cortada (CT)
4.000 : 0,10029 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal P (doble)-20V430mA900mOhm a 430mA, 4.5V1V a 250µA2.5nC a 4.5V175pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT-23-6
SIL2308-TP
N/P-CHANNEL MOSFETSOT23-6L
Micro Commercial Co
1.280
En stock
1 : 0,34000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,10633 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y P-20V5A, 4A38mOhm a 4.5A, 4.5V, 90mOhm a 500mA, 4.5V1V a 250µA11nC a 4.5V, 12nC a 2.5V800pF, 405pF a 8V, 10V--55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-23-6L
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
onsemi
84.132
En stock
1 : 0,39000 €
Cinta cortada (CT)
4.000 : 0,10680 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Canal N y PCompuerta de nivel lógico20V540mA, 430mA550mOhm a 540mA, 4.5V1V a 250µA2.5nC a 4.5V150pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
355.935
En stock
1 : 0,35000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,10928 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMOSFET (óxido de metal)Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico30V3.9A70mOhm a 5.3A, 10V3V a 250µA11nC a 10V563pF a 25V1.1W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
Demostración
1 - 25
de 5.606

Arreglos FET, MOSFET


Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.