FET simple, MOSFET

Resultados : 183
Fabricante
Fairchild Semiconductoronsemi
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoObsoletoÚltima compra
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V75 V150 V200 V220 V250 V280 V300 V350 V400 V450 V500 V530 V600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
1 A (Ta), 7 A (Tc)2 A (Tc)2.2 A (Ta), 9.5 A (Tc)3.5 A (Tc)4 A (Tc)4.4 A (Tc)4.5 A (Tc)5 A (Tc)5.5 A (Tc)6 A (Tc)6.2 A (Tc)6.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V, 10V6V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
10mOhm a 40A, 10V11mOhm a 37.5A, 10V16mOhm a 32.5A, 10V22mOhm a 27.5A, 10V30mOhm a 39.5A, 10V35mOhm a 35A, 10V41mOhm a 17A, 10V41mOhm a 23A, 10V41mOhm a 30.5A, 10V41mOhm a 34.5A, 10V41mOhm a 37.5A, 10V49mOhm a 26A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 250µA2.5V a 250µA4V a 250µA5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
6 nC @ 10 V6.1 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V8 nC @ 10 V12 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16 nC @ 10 V16.6 nC @ 10 V18 nC @ 10 V19.8 nC @ 10 V20 nC @ 10 V24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V±25V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
225 pF @ 25 V230 pF @ 25 V250 pF @ 25 V440 pF @ 25 V585 pF @ 25 V635 pF @ 25 V640 pF @ 25 V650 pF @ 25 V700 pF @ 25 V735 pF @ 25 V865 pF @ 25 V940 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
2W (Tc)2.1W (Ta), 42W (Tc)28W (Tc)30W (Tc)31.3W (Tc)33.8W (Tc)34.5W (Tc)35W (Tc)37W (Tc)38W (Tc)38.5W (Tc)39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
8-MLP (3.3x3.3)D2PAK (TO-263)D²PAK (TO-263)I-PAKI2PAK (TO-262)SOT-223-4TO-220-3TO-220F (LG-Formed)TO-220F-3 (formación en Y)TO-220F-3TO-247TO-247-3TO-252, (D-Pak)TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerWDFNTO-220-3 paquete completoTO-220-3TO-220-3, conductores formados, paquete completoTO-247-3TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AATO-251-3, conductores de tope, IPakTO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63TO-261-4, TO-261AATO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AATO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263ABTO-264-3, TO-264AATO-3P-3 paquete completoTO-3P-3, SC-65-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220F
FDPF55N06
MOSFET N-CH 60V 55A TO220F
onsemi
2.025
En stock
1 : 1,50000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V55 A (Tc)10V22mOhm a 27.5A, 10V4V a 250µA37 nC @ 10 V±25V1510 pF @ 25 V-48W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220F-3TO-220-3 paquete completo
TO-220F
FDPF18N50
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
onsemi
6.891
En stock
1 : 2,83000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V18 A (Tc)10V265mOhm a 9A, 10V5V a 250µA60 nC @ 10 V±30V2860 pF @ 25 V-38.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220F-3TO-220-3 paquete completo
TO-3P-3, SC-65-3
FDA38N30
MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
onsemi
18.138
En stock
1 : 2,96000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)300 V38 A (Tc)10V85mOhm a 19A, 10V5V a 250µA60 nC @ 10 V±30V2600 pF @ 25 V-312W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-3PNTO-3P-3, SC-65-3
TO-220F
FDPF20N50FT
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
onsemi
4.119
En stock
1 : 3,07000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V20 A (Tc)10V260mOhm a 10A, 10V5V a 250µA65 nC @ 10 V±30V3390 pF @ 25 V-38.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220F-3TO-220-3 paquete completo
TO-220F
FDPF18N50T
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
onsemi
529
En stock
1 : 3,43000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V18 A (Tc)10V265mOhm a 9A, 10V5V a 250µA60 nC @ 10 V±30V2860 pF @ 25 V-38.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220F-3TO-220-3 paquete completo
TO-3P-3,TO-247-3
FDA24N40F
MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
onsemi
869
En stock
1 : 3,92000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)400 V23 A (Tc)10V190mOhm a 11.5A, 10V5V a 250µA60 nC @ 10 V±30V3030 pF @ 25 V-235W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-3PNTO-3P-3, SC-65-3
TO-220F
FDPF20N50T
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
onsemi
145
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1 : 2,77000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V20 A (Tc)10V230mOhm a 10A, 10V5V a 250µA59.5 nC @ 10 V±30V3120 pF @ 25 V-38.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220F-3TO-220-3 paquete completo
TO-3P-3, SC-65-3
FDA16N50-F109
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
onsemi
346
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1 : 2,79000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V16.5 A (Tc)10V380mOhm a 8.3A, 10V5V a 250µA45 nC @ 10 V±30V1945 pF @ 25 V-205W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-3PNTO-3P-3, SC-65-3
TO-220-3
FDP22N50N
MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
onsemi
4.996
En stock
1 : 3,57000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V22 A (Tc)10V220mOhm a 11A, 10V5V a 250µA65 nC @ 10 V±30V3200 pF @ 25 V-312.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
TO-3P-3,TO-247-3
FDA28N50F
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
onsemi
206
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1 : 4,78000 €
Tubo
Tubo
Última compraCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V28 A (Tc)10V175mOhm a 14A, 10V5V a 250µA105 nC @ 10 V±30V5387 pF @ 25 V-310W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-3PNTO-3P-3, SC-65-3
TO-220-3
FDP20N50F
MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
onsemi
775
En stock
1 : 2,91000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V20 A (Tc)10V260mOhm a 10A, 10V5V a 250µA65 nC @ 10 V±30V3390 pF @ 25 V-250W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
TO-220F
FDPF17N60NT
MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
onsemi
930
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1 : 3,06000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V17 A (Tc)10V340mOhm a 8.5A, 10V5V a 250µA65 nC @ 10 V±30V3040 pF @ 25 V-62.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220F-3TO-220-3 paquete completo
TO-251-3
FDU6N25
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
onsemi
3.485
En stock
1 : 0,56000 €
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)250 V4.4 A (Tc)10V1.1Ohm a 2.2A, 10V5V a 250µA6 nC @ 10 V±30V250 pF @ 25 V-50W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteI-PAKTO-251-3, conductores de tope, IPak
TO-252-3
FDD6N50TM-WS
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
onsemi
10.768
En stock
1 : 1,34000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,56526 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V6 A (Tc)10V900mOhm a 3A, 10V5V a 250µA16.6 nC @ 10 V±30V9400 pF @ 25 V-89W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-252AATO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
I-PAK
FDU3N40TU
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
onsemi
4.918
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1 : 0,69000 €
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)400 V2 A (Tc)10V3.4Ohm a 1A, 10V5V a 250µA6 nC @ 10 V±30V225 pF @ 25 V-30W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteI-PAKTO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
TO-252-3
FDD7N20TM
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
onsemi
3.810
En stock
1 : 0,76000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,29166 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V5 A (Tc)10V690mOhm a 2.5A, 10V5V a 250µA6.7 nC @ 10 V±30V250 pF @ 25 V-43W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-252AATO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
D2PAK
FDB14N30TM
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
onsemi
13.751
En stock
1 : 1,40000 €
Cinta cortada (CT)
800 : 0,82631 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)300 V14 A (Tc)10V290mOhm a 7A, 10V5V a 250µA25 nC @ 10 V±30V1060 pF @ 25 V-140W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieD²PAK (TO-263)TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-252-3
FDD5N50TM-WS
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
onsemi
2.500
En stock
1 : 0,87000 €
Cinta cortada (CT)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V4 A (Tc)10V1.4Ohm a 2A, 10V5V a 250µA15 nC @ 10 V±30V640 pF @ 25 V-40W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-252AATO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
TO-220-3
FDP55N06
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
onsemi
1.896
En stock
1 : 1,44000 €
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V55 A (Tc)10V22mOhm a 27.5A, 10V4V a 250µA37 nC @ 10 V±25V1510 pF @ 25 V-114W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
TO-220-3
FDP65N06
MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
onsemi
1.992
En stock
1 : 1,94000 €
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V65 A (Tc)10V16mOhm a 32.5A, 10V4V a 250µA43 nC @ 10 V±20V2170 pF @ 25 V-135W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
8-MLP, Power33
FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
onsemi
995
En stock
1 : 2,30000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 1,05268 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V2.2 A (Ta), 9.5 A (Tc)6V, 10V200mOhm a 2.2A, 10V4V a 250µA18 nC @ 10 V±20V960 pF @ 100 V-2.1W (Ta), 42W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-MLP (3.3x3.3)8-PowerWDFN
TO-220-3
FDP26N40
MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
onsemi
297
En stock
1 : 2,53000 €
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)400 V26 A (Tc)10V160mOhm a 13A, 10V5V a 250µA60 nC @ 10 V±30V3185 pF @ 25 V-265W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
TO-220-3
FDP39N20
MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
onsemi
2.000
En stock
1 : 2,57000 €
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V39 A (Tc)10V66mOhm a 19.5A, 10V5V a 250µA49 nC @ 10 V±30V2130 pF @ 25 V-251W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
TO-220F
FDPF20N50
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
onsemi
915
En stock
1 : 2,69000 €
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V20 A (Tc)10V230mOhm a 10A, 10V5V a 250µA59.5 nC @ 10 V±30V3120 pF @ 25 V-38.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220F-3TO-220-3 paquete completo
TO-3P-3, SC-65-3
FDA18N50
MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
onsemi
167
En stock
1 : 2,91000 €
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V19 A (Tc)10V265mOhm a 9.5A, 10V5V a 250µA60 nC @ 10 V±30V2860 pF @ 25 V-239W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-3PNTO-3P-3, SC-65-3
Demostración
de 183

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.