FET simple, MOSFET

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Cantidad disponible
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Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TO220-3-1
IPP60R065S7XKSA1
HIGH POWER_NEW PG-TO220-3
Infineon Technologies
586
En stock
1 : 4,64000 €
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
8 A (Tc)
12V
65mOhm a 8A, 12V
4.5V a 490µA
51 nC @ 12 V
±20V
1932 pF @ 300 V
-
167W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3-1
TO-220-3
PG-HDSOP-22-1
IPDQ60R022S7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Infineon Technologies
733
En stock
1 : 10,40000 €
Cinta cortada (CT)
750 : 6,38479 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
24 A (Tc)
12V
22mOhm a 23A, 12V
4.5V a 1.44mA
150 nC @ 12 V
±20V
5639 pF @ 300 V
-
416W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HDSOP-22-1
Módulo 22-PowerBSOP
731
En stock
1 : 12,31000 €
Cinta cortada (CT)
750 : 8,25015 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
30 A (Tc)
12V
17mOhm a 29A, 12V
4.5V a 1.89mA
196 nC @ 12 V
±20V
7370 pF @ 300 V
-
500W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HDSOP-22
Módulo 22-PowerBSOP
686
En stock
1 : 12,31000 €
Cinta cortada (CT)
750 : 8,67061 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
30 A (Tc)
12V
17mOhm a 29A, 12V
4.5V a 1.89mA
196 nC @ 12 V
±20V
7370 pF @ 300 V
-
500W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HDSOP-22-1
Módulo 22-PowerBSOP
750
En stock
1 : 12,76000 €
Cinta cortada (CT)
750 : 9,03496 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
30 A (Tc)
12V
17mOhm a 29A, 12V
4.5V a 1.89mA
196 nC @ 12 V
±20V
7370 pF @ 300 V
-
500W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-HDSOP-22-1
Módulo 22-PowerBSOP
750
En stock
1 : 18,83000 €
Cinta cortada (CT)
750 : 12,24911 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
50 A (Tc)
12V
10mOhm a 50A, 12V
4.5V a 3.08mA
318 nC @ 12 V
±20V
-
-
694W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HDSOP-22
Módulo 22-PowerBSOP
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : 8,02000 €
Cinta cortada (CT)
750 : 3,63281 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
14 A (Tc)
12V
40mOhm a 13A, 12V
4.5V a 790µA
83 nC @ 12 V
±20V
-
-
272W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HDSOP-22
Módulo 22-PowerBSOP
Demostración
de 7

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.