Transistores bipolares simples

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo de transistor	Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic	Corriente - Corte de colector (Máx.)	Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce	Potencia - Máx.	Frecuencia - Transición	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
2N2907A TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 Diotec Semiconductor	14.578 En stock	4.000 : 0,02716 € Granel 1 : 0,15000 € Cinta cortada (CT)	-	Cinta cortada (CT) Granel	Activo	PNP	600 mA	60 V	2.6V a 50mA, 500mA	10 nA (ICBO)	100 a 150mA, 10V	625 mW	250MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	Conductores formados TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92
BC550CBU TRANS NPN 45V 0.1A TO-92-3 onsemi	9.803 En stock 250.000 Fábrica	1 : 0,25000 € Granel	-	Granel	Activo	NPN	100 mA	45 V	600mV a 5mA, 100mA	15 nA (ICBO)	420 a 2mA, 5V	500 mW	300MHz	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
BD140 TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32-3 STMicroelectronics	7.431 En stock	1 : 0,59000 € Tubo	-	Tubo	Activo	PNP	1.5 A	80 V	500mV a 50mA, 500mA	100 nA (ICBO)	40 a 150mA, 2V	1.25 W	-	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-225AA, TO-126-3	SOT-32-3
TIP3055 TRANS NPN 60V 15A TO-247-3 STMicroelectronics	2.069 En stock	1 : 1,20000 € Tubo	-	Tubo	Activo	NPN	15 A	60 V	3V a 3.3A, 10A	700µA	20 a 4A, 4V	90 W	-	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
BD140G TRANS PNP 80V 1.5A TO-126 onsemi	6.060 En stock	1 : 1,35000 € Granel	-	Granel	Activo	PNP	1.5 A	80 V	500mV a 50mA, 500mA	100 nA (ICBO)	40 a 150mA, 2V	1.25 W	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-225AA, TO-126-3	TO-126
TIP36C TRANS PNP 100V 25A TO-247-3 STMicroelectronics	1.167 En stock	1 : 2,31000 € Tubo	-	Tubo	Activo	PNP	25 A	100 V	4V a 5A, 25A	1mA	10 a 15A, 4V	125 W	3MHz	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3

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Transistores bipolares simples

Los transistores de conexión bipolar discreta (BJT) se usan comúnmente para construir funciones de amplificación de señal analógica en audio, radio y otras aplicaciones. Uno de los primeros dispositivos semiconductores que se produce en masa, sus características son menos favorables que las de otros tipos de dispositivos para aplicaciones que involucran conmutación de alta frecuencia y operación con altas corrientes o voltajes, pero siguen siendo una tecnología de elección para aplicaciones que requieren reproducción de señal analógica con mínimo ruido y distorsión agregados. Los BJT se presentan en dos variedades - NPN y PNP - que hacen referencia a la secuencia de capas semiconductoras que componen el transistor. Los transistores NPN constan de un semiconductor delgado de tipo P entre dos materiales de tipo N, mientras que los transistores PNP tienen un semiconductor de tipo N entre dos de tipo P. De este modo, los dos tipos funcionan con polaridad opuesta. Los transistores NPN disipan la corriente, mientras que los PNP la proveen.