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Cantidad disponible
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Serie
Paquete
Product Status
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
EPC
28.941
En stock
1 : 1,88000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,99300 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V3 A (Ta)5V43mOhm a 1A, 5V2.5V a 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
33.233
En stock
1 : 2,93000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,35409 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V5 A (Ta)5V100mOhm a 3A, 5V2.5V a 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieBosquejo de moldes (barra de soldadura 4)Molde
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
112.699
En stock
1 : 3,91000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 2,06187 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V8.5 A (Ta)5V42mOhm a 7A, 5V2.5V a 1.5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
33.271
En stock
1 : 6,53000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 3,36240 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V32 A (Ta)5V8mOhm a 20A, 5V2.5V a 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
12.346
En stock
1 : 6,98000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 3,59062 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V22 A (Ta)5V25mOhm a 12A, 5V2.5V a 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieBosquejo de moldes (barra de soldadura 7)Molde
eGaN Series
EPC2034C
GANFET N-CH 200V 48A DIE
EPC
18.124
En stock
1 : 8,09000 €
Cinta cortada (CT)
500 : 5,27460 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V48 A (Ta)5V8mOhm a 20A, 5V2.5V a 7mA11 nC @ 5 V+6V, -4V1140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
MPT3  SOT89
BSS87,115
MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
Nexperia USA Inc.
202.122
En stock
1 : 0,55000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 0,17151 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V400mA (Ta)10V3Ohm a 400mA, 10V2.8V a 1mA-±20V120 pF @ 25 V-580mW (Ta), 12.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-89TO-243AA
SOT-223-4
FQT3P20TF
MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
onsemi
24.200
En stock
1 : 0,92000 €
Cinta cortada (CT)
4.000 : 0,35527 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)200 V670mA (Tc)10V2.7Ohm a 335mA, 10V5V a 250µA8 nC @ 10 V±30V250 pF @ 25 V-2.5W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-223-4TO-261-4, TO-261AA
TO252-3
IRFR220NTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Infineon Technologies
7.790
En stock
1 : 1,07000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,41287 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V5 A (Tc)10V600mOhm a 2.9A, 10V4V a 250µA23 nC @ 10 V±20V300 pF @ 25 V-43W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieD-PakTO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
TO252-3
IRFR220NTRPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Infineon Technologies
33.345
En stock
1 : 1,14000 €
Cinta cortada (CT)
2.000 : 0,44074 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V5 A (Tc)10V600mOhm a 2.9A, 10V4V a 250µA23 nC @ 10 V±20V300 pF @ 25 V-43W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieD-PakTO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
SOT-223-4
BSP149H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Infineon Technologies
4.768
En stock
1 : 1,66000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 0,75659 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V660mA (Ta)0V, 10V1.8Ohm a 660mA, 10V1V a 400µA14 nC @ 5 V±20V430 pF @ 25 VModo de exclusión1.8W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT223-4TO-261-4, TO-261AA
TO252-3
IRFR4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Infineon Technologies
8.732
En stock
1 : 2,00000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,98816 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V24 A (Tc)10V78mOhm a 15A, 10V5V a 100µA38 nC @ 10 V±20V1710 pF @ 50 V-144W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieD-PakTO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Infineon Technologies
51.053
En stock
1 : 1,89000 €
Cinta cortada (CT)
800 : 1,12040 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V18 A (Tc)10V150mOhm a 11A, 10V4V a 250µA67 nC @ 10 V±20V1160 pF @ 25 V-150W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieD2PAKTO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
D2PAK
FQB12P20TM
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
onsemi
7.346
En stock
1 : 2,17000 €
Cinta cortada (CT)
800 : 1,28495 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)200 V11.5 A (Tc)10V470mOhm a 5.75A, 10V5V a 250µA40 nC @ 10 V±30V1200 pF @ 25 V-3.13W (Ta), 120W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieD²PAK (TO-263)TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
87.622
En stock
1 : 1,34000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V18 A (Tc)10V150mOhm a 11A, 10V4V a 250µA67 nC @ 10 V±20V1160 pF @ 25 V-150W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-263AB
IRF9640STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Vishay Siliconix
66.859
En stock
1 : 2,55000 €
Cinta cortada (CT)
800 : 1,51281 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)200 V11 A (Tc)10V500mOhm a 6.6A, 10V4V a 250µA44 nC @ 10 V±20V1200 pF @ 25 V-3W (Ta), 125W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieD²PAK (TO-263)TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
D2PAK
FDB52N20TM
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
onsemi
12.013
En stock
1 : 2,78000 €
Cinta cortada (CT)
800 : 1,64813 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V52 A (Tc)10V49mOhm a 26A, 10V5V a 250µA63 nC @ 10 V±30V2900 pF @ 25 V-357W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieD²PAK (TO-263)TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Infineon Technologies
35.153
En stock
1 : 2,89000 €
Cinta cortada (CT)
800 : 1,71361 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V24 A (Tc)10V77.5mOhm a 15A, 10V5V a 100µA38 nC @ 10 V±20V1710 pF @ 50 V-144W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieD2PAKTO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-220AB PKG
IRFB4020PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
24.100
En stock
1 : 2,15000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V18 A (Tc)10V100mOhm a 11A, 10V4.9V a 100µA29 nC @ 10 V±20V1200 pF @ 50 V-100W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP250MPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
20.747
En stock
1 : 2,25000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V30 A (Tc)10V75mOhm a 18A, 10V4V a 250µA123 nC @ 10 V±20V2159 pF @ 25 V-214W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4227TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Infineon Technologies
5.300
En stock
1 : 3,62000 €
Cinta cortada (CT)
800 : 2,26961 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V62 A (Tc)10V26mOhm a 46A, 10V5V a 250µA98 nC @ 10 V±30V4600 pF @ 25 V-330W (Tc)-40°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieD2PAKTO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Infineon Technologies
17.159
En stock
1 : 4,19000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 2,30380 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V34 A (Tc)10V32mOhm a 34A, 10V4V a 90µA29 nC @ 10 V±20V2350 pF @ 100 V-136W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficiePG-TO263-3TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-263AB
IRL640SPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Vishay Siliconix
1.844
En stock
1 : 2,44000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V17 A (Tc)4V, 5V180mOhm a 10A, 5V2V a 250µA66 nC @ 5 V±10V1800 pF @ 25 V-3.1W (Ta), 125W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieD²PAK (TO-263)TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-220-3
FDP52N20
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
onsemi
5.831
En stock
1 : 2,63000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V52 A (Tc)10V49mOhm a 26A, 10V5V a 250µA63 nC @ 10 V±30V2900 pF @ 25 V-357W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP260MPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
15.804
En stock
1 : 3,29000 €
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V50 A (Tc)10V40mOhm a 28A, 10V4V a 250µA234 nC @ 10 V±20V4057 pF @ 25 V-300W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
Demostración
1 - 25
de 1.472

200 V FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.