Montaje en superficie FET simple, MOSFET

Resultados : 26.060
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGaNPowerGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
Serie
-*18N20AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™
Embalaje
BandejaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
150µA (Ta)5mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)50mA (Ta)50mA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.2V, 5V1.3V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.4 mOhm a 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.4mOhm a 30A, 10V0.42mOhm a 50A, 10V0.45mOhm a 30A, 10V0.45mOhm a 50A, 10V0.45mOhm a 60A, 4.5V0.47mOhm a 20A, 10V0.48 mOhm a 50A, 10V0.52mOhm a 20A, 10V0.52mOhm a 30A, 10V0.52mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)0.5V @ 250µA500mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típico)600mV a 1.2mA (mín.)600mV a 11µA600mV a 1mA (mín.)600mV a 1mA (típico)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1.678 pF @ 15 V2.242 pF @ 15 V2.28 pF @ 25 V2.76 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V
Característica de FET
-Detección de corrienteDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Diodo de detección de temperaturaEstándarModo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
950µW (Ta)1.9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)
Paquete del dispositivo del proveedor
2-HWSON (5x4)2-PQFN (8x8)3-CP3-CPH3-DFN (0.6x1)3-DFN (1.0 x 0.60)3-DFN (1x0.6)3-LGA (0.73x0.64)3-LGA (4.1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa)
2-PowerTSFNPlaca descubierta 2-DFN3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conductores planos3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SMD, SOT-23-3 variante3-SMD, conductor plano3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar3-SMD, sin conductor
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
1.018.532
En stock
1 : 1,20000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,50876 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V1.7 A (Ta)5V550mOhm a 100mA, 5V2.5V a 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
27.684
En stock
1 : 1,20000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,50876 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V1.7 A (Ta)5V65mOhm a 1A, 5V2.5V a 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
266.198
En stock
1 : 1,20000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,50876 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V500mA (Ta)5V3.3Ohm a 50mA, 5V2.5V a 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
176.712
En stock
1 : 1,48000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,67622 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V8.2 A (Ta)5V13.5mOhm a 11A, 5V2.5V a 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
51.671
En stock
1 : 1,66000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,83251 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V3 A (Ta)5V43mOhm a 1A, 5V2.5V a 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
19.999
En stock
1 : 2,00000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,91489 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V4 A (Ta)5V160mOhm a 500mA, 5V2.5V a 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
44.407
En stock
1 : 2,00000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,91489 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V6 A (Ta)5V30mOhm a 6A, 5V2.5V a 1.2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
21.153
En stock
1 : 2,35000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,07400 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V29 A (Ta)5V6mOhm a 16A, 5V2.5V a 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
32.241
En stock
1 : 2,38000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,08726 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)40 V29 A (Ta)5V3.6mOhm a 15A, 5V2.5V a 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VEstándar--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
26.775
En stock
1 : 2,58000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,18008 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V5 A (Ta)5V100mOhm a 3A, 5V2.5V a 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
65.506
En stock
1 : 2,72000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,24637 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)80 V18 A (Ta)5V17mOhm a 11A, 5V2.5V a 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
161.326
En stock
1 : 2,78000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,27289 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V18 A (Ta)5V13.5mOhm a 11A, 5V2.5V a 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC
53.802
En stock
1 : 2,92000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,46304 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)65 V2 A (Ta)5V530mOhm a 500mA, 5V2.5V a 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
8.090
En stock
1 : 3,12000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 1,65005 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)80 V60 A (Ta)5V3.6mOhm a 25A, 5V2.5V a 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 VEstándar--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
111.560
En stock
1 : 3,43000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 1,81505 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V8.5 A (Ta)5V42mOhm a 7A, 5V2.5V a 1.5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
18.556
En stock
1 : 4,32000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 2,16844 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)40 V53 A (Ta)5V4mOhm a 33A, 5V2.5V a 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
117.002
En stock
1 : 4,40000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 2,20762 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V36 A (Ta)5V7mOhm a 25A, 5V2.5V a 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
73
En stock
1 : 4,45000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 2,23375 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V48 A (Ta)5V3.8mOhm a 25A, 5V2.5V a 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
69.507
En stock
1 : 4,58000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 2,42007 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V60 A (Ta)5V3.2mOhm a 25A, 5V2.5V a 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
25.430
En stock
1 : 5,75000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 2,88689 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V32 A (Ta)5V8mOhm a 20A, 5V2.5V a 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
10.265
En stock
1 : 6,45000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 3,23959 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V22 A (Ta)5V25mOhm a 12A, 5V2.5V a 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
10.909
En stock
1 : 5,85000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 3,31482 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)40 V90 A (Ta)5V1.1mOhm a 50A, 5V2.5V a 28mA33 nC @ 5 V+6V, -4V4523 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
90.955
En stock
1 : 5,72000 €
Cinta cortada (CT)
500 : 3,58688 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)80 V90 A (Ta)5V2.2mOhm a 29A, 5V2.5V a 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
4.487
En stock
1 : 6,45000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 3,41009 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V64A (Ta)5V2.2mOhm a 30A, 5V2.5V a 13mA26 nC @ 5 V+6V, -4V3931 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
EPC
16.703
En stock
1 : 6,19000 €
Cinta cortada (CT)
500 : 4,03426 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)60 V31 A (Ta)-2.6mOhm a 30A, 5V2.5V a 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
Demostración
1 - 25
de 26.060

Montaje en superficie FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.