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200 V FET simple, MOSFET
Resultados : 1.485
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Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
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PRODUCTO DEL MERCADO
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1 - 25
Comparar | Número de parte del fabricante | Cantidad disponible | Precio | Serie | Paquete | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | Rds On (máx) @ Id, Vgs | Vgs(th) (máx) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica de FET | Disipación de potencia (Máx.) | Temperatura de funcionamiento | Tipo de montaje | Paquete del dispositivo del proveedor | Paquete / Caja (carcasa) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
51.671 En stock | 1 : 1,66000 € Cinta cortada (CT) 2.500 : 0,83251 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | GaNFET (Nitrito de galio) | 200 V | 3 A (Ta) | 5V | 43mOhm a 1A, 5V | 2.5V a 1mA | 4.3 nC @ 5 V | +6V, -4V | 573 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en superficie | Molde | Molde | |||
26.775 En stock | 1 : 2,58000 € Cinta cortada (CT) 2.500 : 1,18008 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | GaNFET (Nitrito de galio) | 200 V | 5 A (Ta) | 5V | 100mOhm a 3A, 5V | 2.5V a 1mA | 1.3 nC @ 5 V | +6V, -4V | 140 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en superficie | Molde | Molde | |||
111.560 En stock | 1 : 3,43000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 1,81505 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | GaNFET (Nitrito de galio) | 200 V | 8.5 A (Ta) | 5V | 42mOhm a 7A, 5V | 2.5V a 1.5mA | 2.9 nC @ 5 V | +6V, -4V | 288 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en superficie | Molde | Molde | |||
25.430 En stock | 1 : 5,75000 € Cinta cortada (CT) 2.500 : 2,88689 € Cinta y rollo (TR) | - | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | GaNFET (Nitrito de galio) | 200 V | 32 A (Ta) | 5V | 8mOhm a 20A, 5V | 2.5V a 6mA | 17.7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1790 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en superficie | Molde | Molde | ||
10.265 En stock | 1 : 6,45000 € Cinta cortada (CT) 2.500 : 3,23959 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | GaNFET (Nitrito de galio) | 200 V | 22 A (Ta) | 5V | 25mOhm a 12A, 5V | 2.5V a 3mA | 5.3 nC @ 5 V | +6V, -4V | 540 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en superficie | Molde | Molde | |||
17.214 En stock | 1 : 7,48000 € Cinta cortada (CT) 500 : 4,87156 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | GaNFET (Nitrito de galio) | 200 V | 48 A (Ta) | 5V | 8mOhm a 20A, 5V | 2.5V a 7mA | 11 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1140 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en superficie | Molde | Molde | |||
226.879 En stock | 1 : 0,49000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 0,15098 € Cinta y rollo (TR) | - | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | No para diseños nuevos | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 400mA (Ta) | 10V | 3Ohm a 400mA, 10V | 2.8V a 1mA | - | ±20V | 120 pF @ 25 V | - | 580mW (Ta), 12.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-89 | TO-243AA | ||
4.578 En stock | 1 : 0,77000 € Cinta cortada (CT) 2.500 : 0,29488 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 5 A (Tc) | 10V | 690mOhm a 2.5A, 10V | 5V a 250µA | 6.7 nC @ 10 V | ±30V | 250 pF @ 25 V | - | 43W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252AA | TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 | |||
31.499 En stock | 1 : 0,95000 € Cinta cortada (CT) 2.000 : 0,37046 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 5 A (Tc) | 10V | 600mOhm a 2.9A, 10V | 4V a 250µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 300 pF @ 25 V | - | 43W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en superficie | D-Pak | TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 | |||
21.913 En stock | 1 : 1,04000 € Cinta cortada (CT) 2.500 : 0,43960 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 5 A (Tc) | 5V | 700mOhm a 2.5A, 5V | 2.5V a 50µA | 6 nC @ 5 V | ±20V | 242 pF @ 25 V | - | 33W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en superficie | DPAK | TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 | |||
13.082 En stock | 1 : 1,57000 € Cinta cortada (CT) 5.000 : 0,63486 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 7.2 A (Ta) | 10V | 114mOhm a 3.6A, 10V | 4V a 200µA | 7 nC @ 10 V | ±20V | 600 pF @ 100 V | - | 700mW (Ta), 39W (Tc) | 150°C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSON avanzado (3.1x3.1) | 8-PowerVDFN | |||
50.882 En stock | 1 : 1,60000 € Cinta cortada (CT) 800 : 0,94714 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 18 A (Tc) | 10V | 150mOhm a 11A, 10V | 4V a 250µA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 1160 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en superficie | D2PAK | TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB | |||
4.124 En stock | 1 : 1,89000 € Cinta cortada (CT) 800 : 1,14191 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal P | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 11.5 A (Tc) | 10V | 470mOhm a 5.75A, 10V | 5V a 250µA | 40 nC @ 10 V | ±30V | 1200 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 120W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en superficie | D²PAK (TO-263) | TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB | |||
80.955 En stock | 1 : 1,16000 € Tubo | Tubo | No para diseños nuevos | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 18 A (Tc) | 10V | 150mOhm a 11A, 10V | 4V a 250µA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 1160 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Orificio pasante | TO-220AB | TO-220-3 | |||
38.931 En stock | 1 : 2,44000 € Cinta cortada (CT) 800 : 1,44863 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 24 A (Tc) | 10V | 77.5mOhm a 15A, 10V | 5V a 100µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1710 pF @ 50 V | - | 144W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en superficie | D2PAK | TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB | |||
19.757 En stock | 1 : 1,82000 € Tubo | - | Tubo | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 18 A (Tc) | 10V | 100mOhm a 11A, 10V | 4.9V a 100µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 50 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Orificio pasante | TO-220AB | TO-220-3 | ||
14.295 En stock | 1 : 3,54000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 1,86965 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 34 A (Tc) | 10V | 32mOhm a 34A, 10V | 4V a 90µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 2350 pF @ 100 V | - | 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en superficie | PG-TO263-3 | TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB | |||
608 En stock | 1 : 1,91000 € Tubo | Tubo | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 30 A (Tc) | 10V | 75mOhm a 18A, 10V | 4V a 250µA | 123 nC @ 10 V | ±20V | 2159 pF @ 25 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Orificio pasante | TO-247AC | TO-247-3 | |||
6.442 En stock | 1 : 3,06000 € Cinta cortada (CT) 800 : 1,91865 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 62 A (Tc) | 10V | 26mOhm a 46A, 10V | 5V a 250µA | 98 nC @ 10 V | ±30V | 4600 pF @ 25 V | - | 330W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en superficie | D2PAK | TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB | |||
4.812 En stock | 1 : 2,16000 € Tubo | Tubo | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 32.7 A (Tc) | 10V | 77mOhm a 15A, 10V | 4V a 1mA | 32.2 nC @ 10 V | ±20V | 1870 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Orificio pasante | TO-220AB | TO-220-3 | |||
13.957 En stock | 1 : 2,73000 € Tubo | Tubo | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 30 A (Tc) | 10V | 75mOhm a 18A, 10V | 4V a 250µA | 123 nC @ 10 V | ±20V | 2159 pF @ 25 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Orificio pasante | TO-247AC | TO-247-3 | |||
5.981 En stock | 1 : 2,76000 € Tubo | - | Tubo | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 20 A (Tc) | 10V | 180mOhm a 12A, 10V | 4V a 250µA | 70 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Orificio pasante | TO-247AC | TO-247-3 | ||
12.176 En stock | 1 : 2,78000 € Tubo | Tubo | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 50 A (Tc) | 10V | 40mOhm a 28A, 10V | 4V a 250µA | 234 nC @ 10 V | ±20V | 4057 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Orificio pasante | TO-247AC | TO-247-3 | |||
8.221 En stock | 1 : 4,57000 € Cinta cortada (CT) 800 : 2,86723 € Cinta y rollo (TR) | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 65 A (Tc) | 10V | 30mOhm a 30A, 10V | 4V a 250µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263 (D²Pak) | TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB | |||
6.515 En stock | 1 : 3,11000 € Tubo | Tubo | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 200 V | 26 A (Tc) | 10V | 25mOhm a 17A, 10V | 5V a 250µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 4600 pF @ 25 V | - | 46W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Orificio pasante | TO-220AB, paquete completo | TO-220-3 paquete completo |
SOT89_tmb.jpg "MPT3 SOT89")
_tmb.jpg "MFG_DPAK(TO252-3)")
Demostración de 1.485
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200 V FET simple, MOSFET
Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.
