Demostración
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Configuración dirigida
Tipo de canal
Cantidad de controladores
Tipo de compuerta
Voltaje de la fuente
Voltaje lógico - VIL, VIH
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
Tipo de entrada
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
Tiempo de subida/bajada
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
UP1966E
UP1966E
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP
EPC
139.355
En stock
1 : 3,86000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 1,28699 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMedio puenteIndependiente2Enhanced Mode GaN FET4.5V ~ 5.5V0.5V, 2.3V7.1A, 12.5ANo inversor85 V8ns, 4ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficie12-UFBGA, WLCSP12-WLCSP-B (1.6x1.6)
8-TDFN
SLG55021-200010V
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN
Dialog Semiconductor GmbH
365.930
En stock
1 : 0,58000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,20339 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel altoSimple1MOSFET de canal N4.75V ~ 5.25V0.4V, 5.5V32µA, 400µACMOS---55°C ~ 125°CMontaje en superficiePlaca descubierta 8-WFDFN8-TDFN (2x2)
SOT 26
ZXGD3005E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
44.019
En stock
1 : 0,61000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,21560 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N25V (máx.)-10A, 10ANo inversor-48ns, 35ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
6-WCSPE
TCK401G,LF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
Toshiba Semiconductor and Storage
36.436
En stock
1 : 0,65000 €
Cinta cortada (CT)
5.000 : 0,24226 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel altoSimple1-2.7V ~ 28V0.4V, 1.6V-No inversor-0.2ms, 1.5µs-40°C ~ 85°C (TA)Montaje en superficie6-UFBGA, WLCSP6-WCSPE (0.80x1.2)
SOT 26
ZXGD3006E6QTA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
23.875
En stock
1 : 0,73000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,27926 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET SiC40V (máx.)-10A, 10ANo inversor-48ns, 35ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
SOT25
DGD0215WT-7
IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25
Diodes Incorporated
6.894
En stock
189.000
Factory
1 : 0,81000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,31029 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V1.9A, 1.8AInversión, No inversor-15ns, 15ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficieSOT-23-5 delgado, TSOT-23-5TSOT-25 (tipo TH)
SOT-23-5
FAN3111ESX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
71.036
En stock
1 : 0,97000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,41149 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4.5V ~ 18V-1.4A, 1.4ANo inversor-9ns, 8ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
8-SO
ZXGD3103N8TC
IC GATE DRVR HI-SIDE/LO-SIDE 8SO
Diodes Incorporated
20.000
En stock
1 : 1,06000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,45423 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel alto o bajoSimple1MOSFET de canal N5V ~ 15V-2.5 A, 6 ANo inversor-450ns, 21ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
SOT753
UCC27517DBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
37.799
En stock
1 : 1,06000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,48451 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N4.5V ~ 18V1V, 2.4V4A, 4AInversión, No inversor-8ns, 7ns-40°C ~ 140°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
DRS-6-SON Pkg
UCC27516DRSR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6SON
Texas Instruments
27.166
En stock
9.000
Factory
1 : 1,06000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,48451 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N4.5V ~ 18V1V, 2.4V4A, 4AInversión, No inversor-8ns, 7ns-40°C ~ 140°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-WDFN6-SON (3x3)
26.659
En stock
1 : 1,25000 €
Cinta cortada (CT)
2.000 : 0,53524 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 30V0.8V, 2.4V1.5A, 1.5ANo inversor-10ns, 8ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
33.540
En stock
1 : 1,25000 €
Cinta cortada (CT)
2.000 : 0,53524 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 30V0.8V, 2.4V1.5A, 1.5ANo inversor-10ns, 8ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 8-VDFN8-DFN (3x3)
8-SO
DGD2304S8-13
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Diodes Incorporated
8.868
En stock
1 : 1,27000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,54508 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMedio puenteIndependiente2IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 20V0.7V, 2.3V290 mA, 600 mANo inversor600 V70ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
8-SOIC
FAN3224TMX
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
onsemi
24.501
En stock
1 : 1,34000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,57102 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N4.5V ~ 18V0.8V, 2V5A, 5ANo inversor-12ns, 9ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
SOT25
IRS44273LTRPBF
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
19.314
En stock
1 : 1,34000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,61829 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N10.2V ~ 20V0.8V, 2.5V1.5A, 1.5ANo inversor-25ns, 25ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
SOT753
UCC27517AQDBVRQ1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
54.606
En stock
1 : 1,35000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,62018 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N4.5V ~ 18V1V, 2.4V4A, 4AInversión, No inversor-8ns, 7ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
SOT-23-5
FAN3180TSX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
25.739
En stock
1 : 1,49000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,63304 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N5V ~ 18V0.8V, 2V2.5 A, 2.8 ANo inversor-19ns, 13ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
8-SO
DGD2104MS8-13
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Diodes Incorporated
27.557
En stock
1 : 1,48000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,63592 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMedio puenteSincrónico2IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 20V0.8V, 2.5V290 mA, 600 mANo inversor600 V70ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
8-SOIC
IRS2005STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
16.348
En stock
1 : 1,39000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,64122 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoMedio puenteIndependiente2IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 20V0.8V, 2.5V290 mA, 600 mANo inversor200 V70ns, 30ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-SO
DGD2181S8-13
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Diodes Incorporated
164.678
En stock
1 : 1,73000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,74191 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosMedio puenteIndependiente2IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 20V0.8V, 2.5V1.9 A, 2.3 ANo inversor600 V40ns, 20ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
8-SOIC
NCP81074BDR2G
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
onsemi
10.764
En stock
1 : 1,64000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,74707 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4.5V ~ 20V-10A, 10AInversión, No inversor-4ns, 4ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-SOIC
MC33152DR2G
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
onsemi
9.266
En stock
1 : 1,77000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,74763 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N6.1V ~ 18V0.8V, 2.6V1.5A, 1.5ANo inversor-36ns, 32ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
24 VFQFN
DRV8300NRGER
100-V MAX SIMPLE 3-PHASE GATE DR
Texas Instruments
29.605
En stock
9.000
Factory
1 : 1,63000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,83175 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoLado alto y lado bajo3 fases, trifásico3MOSFET de canal N5V ~ 20V0.8V, 2V750mA, 1.5ANo inversor105 V12ns, 12ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficiePlaca descubierta 24-VFQFN24-VQFN (4x4)
24 VFQFN
DRV8300DRGER
100-V MAX SIMPLE 3-PHASE GATE DR
Texas Instruments
29.199
En stock
9.000
Factory
1 : 1,63000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,83175 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoLado alto y lado bajo3 fases, trifásico3MOSFET de canal N5V ~ 20V0.8V, 2V750mA, 1.5ANo inversor105 V12ns, 12ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficiePlaca descubierta 24-VFQFN24-VQFN (4x4)
2.544
En stock
1 : 1,70000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,86304 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4V ~ 14V0.8V, 2V3A, 7AInversión, No inversor-28ns, 13ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-6
Demostración
1 - 25
de 6.786

Conductores de compuerta


Los circuitos integrados de administración de energía (PMIC) del controlador de compuertas son dispositivos que brindan aislamiento, amplificación, cambio de referencia, arranque u otras funciones necesarias para interconectar señales de un dispositivo de control en una aplicación de conversión de energía a los dispositivos semiconductores (generalmente FET o IGBT) a través de los cuales pasa la energía que se controla. Las funciones exactas que ofrece cualquier dispositivo particular varían, pero se correlacionan con la configuración del semiconductor que está adaptada para impulsar.