Conductores de compuerta

Resultados : 318
Serie
-*
Embalaje
BandejaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoleto
Configuración dirigida
-Lado alto y lado bajoMedio puenteNivel alto o bajoNivel altoNivel bajo
Tipo de canal
3 fases, trifásicoIndependienteSimpleSincrónico
Cantidad de controladores
1246
Tipo de compuerta
IGBT, MOSFET SiCMOSFET de canal NMOSFET de canal N, canal P
Voltaje de la fuente
4V ~ 12.6V4V ~ 14V4V ~ 15.5V4V ~ 15V4.2V ~ 5.5V4.5V ~ 15V4.5V ~ 16.5V4.5V ~ 17V4.5V ~ 18V4.5V ~ 28V4.5V ~ 5.5V4.5V ~ 6.5V4.5V ~ 7V4.6V ~ 5.5V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.4V, 1.6V0.6V, 2V0.8V, 2.1V0.8V, 2.4V0.8V, 2.5V0.8V, 2.6V0.8V, 2V1.65V, 3.65V1.65V, 3.85V1.8V, 3.9V2V, 4.25V--, 0.8V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
1A, 5A1.3 A, 7.6 A1.5A, 1.5A2 A, 2.7 A2A, 2A2A, 4A2.2 A, 2.7 A2.5A, 2.5A3A, 3A3A, 7A4A, 4A4A, 8A6A, 6A-
Tipo de entrada
Circuito de entrada RCInversiónInversión, No inversorNo inversorTTL
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
24 V30 V60 V65 V125 V175 V
Tiempo de subida/bajada
3ns, 3ns4ns, 4ns5ns, 1ns6ns, 4ns8ns, 3.2ns10ns, 10ns10ns, 8ns11ns, 9.5ns14ns, 7ns14ns, 9ns16ns, 14ns18ns, 16ns
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C-40°C ~ 100°C-40°C ~ 105°C (TA)-40°C ~ 125°C (TA)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 125°C-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 85°C (TA)-40°C ~ 85°C0°C ~ 150°C (TJ)0°C ~ 70°C (TA)0°C ~ 70°C-
Grado
Uso automotrizUsos militares
Calificación
AEC-Q100MIL-STD-883
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
Placa descubierta 6-WDFN8-CDIP (0.300", 7.62mm)8-DIP (0.300", 7.62mm)8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) placa descubierta8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho) placa descubierta8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho)Placa descubierta 8-WDFNPlaca descubierta 8-WFDFNPlaca descubierta 8-WQFN10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho)Placa descubierta 10-WFDFN
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TDFN (3x3)6-TDFN-EP (3x3)8-CERDIP8-PDIP8-SOIC8-SOIC-EP8-TDFN (3x3)8-TDFN-EP (2x2)8-TDFN-EP (3x3)8-TQFN (3x3)8-uMAX-EP|8-uSOP-EP8-uMAX/uSOP
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
DigiKey programable
Configuración dirigida
Tipo de canal
Cantidad de controladores
Tipo de compuerta
Voltaje de la fuente
Voltaje lógico - VIL, VIH
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
Tipo de entrada
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
Tiempo de subida/bajada
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
5.881
En stock
1 : 1,68000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,76802 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4V ~ 14V0.8V, 2V3A, 7AInversión, No inversor-28ns, 13ns-40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-6SOT-6
2.239
En stock
12.500
Fábrica
1 : 4,63000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 2,31956 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo-Nivel altoSimple1MOSFET de canal N9V ~ 70V1.65V, 3.65V-No inversor---40°C ~ 125°C (TA)--Montaje en superficiePlaca descubierta 16-WFQFN16-TQFN (3x3)
5.153
En stock
1 : 5,34000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V6A, 6ANo inversor-25ns, 25ns0°C ~ 70°C (TA)--Montaje en superficie8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-SOIC
8.502
En stock
1 : 5,50000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 2,76151 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V2A, 2AInversión-25ns, 20ns0°C ~ 70°C (TA)--Montaje en superficie8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-SOIC
7.488
En stock
1 : 5,97000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 2,91495 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel altoSimple1MOSFET de canal N5V ~ 26V0.6V, 2V-No inversor---40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho)8-uMAX/uSOP
6.460
En stock
1 : 6,10000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 3,33417 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4V ~ 12.6V0.8V, 2.4V1.3 A, 7.6 AInversión, No inversor-82ns, 12.5ns-40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficiePlaca descubierta 6-WDFN6-TDFN (3x3)
1.207
En stock
1 : 6,26000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel altoSimple1MOSFET de canal N5V ~ 26V0.6V, 2V-No inversor---40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho)8-uMAX/uSOP
2.199
En stock
1 : 14,41000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 8,78616 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4V ~ 15V0.8V, 2.1V4A, 4AInversión, No inversor-32ns, 26ns-40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficiePlaca descubierta 6-WDFN6-TDFN (3x3)
4.746
En stock
1 : 1,68000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,76802 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4.5V ~ 28V0.8V, 2V4A, 8AInversión, No inversor-22ns, 16ns-40°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q100Montaje en superficiePlaca descubierta 10-WFDFN10-TDFN (3x3)
13.713
En stock
55.000
Fábrica
1 : 2,28000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,04502 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N4V ~ 14V0.8V, 2.1V4A, 4ANo inversor-40ns, 25ns-40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficiePlaca descubierta 8-WDFN8-TDFN (3x3)
667
En stock
24.600
Fábrica
1 : 2,28000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N4V ~ 14V0.8V, 2.1V4A, 4ANo inversor-40ns, 25ns-40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-SOIC
1.723
En stock
2.500
Fábrica
1 : 3,09000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,55050 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel alto o bajoSincrónico2MOSFET de canal N, canal P4V ~ 15.5V0.8V, 2V3A, 7AInversión, No inversor-36ns, 17ns-40°C ~ 125°C (TA)Uso automotrizAEC-Q100Montaje en superficieSOT-23-6SOT-6
200
En stock
2.000
Fábrica
1 : 4,50000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V6A, 6AInversión-25ns, 25ns0°C ~ 70°C (TA)--Orificio pasante8-DIP (0.300", 7.62mm)8-PDIP
735
En stock
1 : 4,63000 €
Bandeja
-
Bandeja
ActivoNo verificadoNivel altoSimple1MOSFET de canal N9V ~ 70V--No inversor---40°C ~ 125°C (TA)--Montaje en superficiePlaca descubierta 16-WFQFN16-TQFN (3x3)
1.796
En stock
1 : 5,95000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V6A, 6ANo inversor-25ns, 25ns-40°C ~ 85°C (TA)--Montaje en superficie8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-SOIC
6.298
En stock
300
Fábrica
1 : 6,18000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V1.5A, 1.5AInversión, No inversor-20ns, 20ns-40°C ~ 85°C (TA)--Montaje en superficie8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-SOIC
17.019
En stock
1 : 6,39000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 3,49178 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V1.5A, 1.5ANo inversor-20ns, 20ns-40°C ~ 85°C (TA)--Montaje en superficie8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-SOIC
408
En stock
1 : 6,39000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V1.5A, 1.5ANo inversor-20ns, 20ns-40°C ~ 85°C (TA)--Montaje en superficie8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-SOIC
8.288
En stock
1 : 6,92000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 3,77557 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4V ~ 12.6V0.8V, 2.4V1.3 A, 7.6 AInversión, No inversor-82ns, 12.5ns-40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-6SOT-6
123
En stock
500
Fábrica
1 : 9,17000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V2A, 2AInversión-25ns, 20ns0°C ~ 70°C (TA)--Orificio pasante8-DIP (0.300", 7.62mm)8-PDIP
3.715
En stock
1 : 9,77000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 5,33467 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSincrónico2MOSFET de canal N4.5V ~ 15V-3A, 3ACircuito de entrada RC-10ns, 10ns-40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho) placa descubierta8-uMAX-EP|8-uSOP-EP
6.234
En stock
12.600
Fábrica
1 : 2,28000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N4V ~ 14V0.8V, 2.1V4A, 4AInversión-40ns, 25ns-40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-SOIC
390
En stock
1.550
Fábrica
1 : 2,28000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2IGBT, MOSFET SiC4V ~ 14V2V, 4.25V4A, 4AInversión, No inversor-40ns, 25ns-40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho) placa descubierta8-uMAX-EP|8-uSOP-EP
293
En stock
3.400
Fábrica
1 : 2,28000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N4V ~ 14V0.8V, 2.1V4A, 4ANo inversor-40ns, 25ns-40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho) placa descubierta8-uMAX-EP|8-uSOP-EP
103
En stock
1 : 2,28000 €
Tubo
-
Tubo
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N4V ~ 14V0.8V, 2.1V4A, 4AInversión-40ns, 25ns-40°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficie8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho) placa descubierta8-uMAX-EP|8-uSOP-EP
Demostración
de 318

Conductores de compuerta


Los circuitos integrados de administración de energía (PMIC) del controlador de compuertas son dispositivos que brindan aislamiento, amplificación, cambio de referencia, arranque u otras funciones necesarias para interconectar señales de un dispositivo de control en una aplicación de conversión de energía a los dispositivos semiconductores (generalmente FET o IGBT) a través de los cuales pasa la energía que se controla. Las funciones exactas que ofrece cualquier dispositivo particular varían, pero se correlacionan con la configuración del semiconductor que está adaptada para impulsar.