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de 8
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
DigiKey programable
Configuración dirigida
Tipo de canal
Cantidad de controladores
Tipo de compuerta
Voltaje de la fuente
Voltaje lógico - VIL, VIH
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
Tipo de entrada
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
Tiempo de subida/bajada
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
10-DFN
LM5113SDX/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
Texas Instruments
7.467
En stock
9.000
Fábrica
1 : 4,97000 €
Cinta cortada (CT)
4.500 : 2,49455 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosNo verificadoMedio puenteIndependiente2MOSFET de canal N4.5V ~ 5.5V1.76V, 1.89V1.2 A, 5 ANo inversor107 V7ns, 1.5ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 10-WDFN10-WSON (4x4)
10-DFN
LM5113SD/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
Texas Instruments
1.845
En stock
10.000
Fábrica
1 : 5,74000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 3,03003 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosNo verificadoMedio puenteIndependiente2MOSFET de canal N4.5V ~ 5.5V1.76V, 1.89V1.2 A, 5 ANo inversor107 V7ns, 1.5ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 10-WDFN10-WSON (4x4)
12-DSBGA
LM5113TME/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
Texas Instruments
10.345
En stock
10.000
Fábrica
1 : 5,16000 €
Cinta cortada (CT)
250 : 3,60248 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosNo verificadoMedio puenteIndependiente2MOSFET de canal N4.5V ~ 5.5V1.76V, 1.89V1.2 A, 5 ANo inversor107 V7ns, 1.5ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficie12-WFBGA, DSBGA12-DSBGA
10-DFN
LM5113SDE/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
Texas Instruments
1.642
En stock
6.250
Fábrica
1 : 5,74000 €
Cinta cortada (CT)
250 : 4,00396 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosNo verificadoMedio puenteIndependiente2MOSFET de canal N4.5V ~ 5.5V1.76V, 1.89V1.2 A, 5 ANo inversor107 V7ns, 1.5ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 10-WDFN10-WSON (4x4)
10-WFDFN Exp Pkg
LM5113QDPRRQ1
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
Texas Instruments
4.953
En stock
1 : 4,51000 €
Cinta cortada (CT)
4.500 : 2,26442 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteIndependiente2MOSFET de canal N4.5V ~ 5.5V-1.2 A, 5 ANo inversor100 V7ns, 3.5ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 10-WDFN10-WSON (4x4)
12-DSBGA
LMG1205YFXT
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
Texas Instruments
47
En stock
1 : 3,98000 €
Cinta cortada (CT)
250 : 2,78192 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteIndependiente2MOSFET de canal N4.5V ~ 5.5V1.76V, 1.89V1.2 A, 5 ATTL100 V7ns, 3.5ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficie12-WFBGA, DSBGA12-DSBGA
12-DSBGA
LMG1205YFXR
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
Texas Instruments
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : 3,32000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 1,66685 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteIndependiente2MOSFET de canal N4.5V ~ 5.5V-1.2 A, 5 ATTL100 V7ns, 3.5ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficie12-WFBGA, DSBGA12-DSBGA
12-DSBGA
LM5113TMX/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12USMD
Texas Instruments
0
En stock
9.000
Fábrica
3.000 : 2,20594 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
No para diseños nuevosNo verificadoMedio puenteIndependiente2MOSFET de canal N4.5V ~ 5.5V1.76V, 1.89V1.2 A, 5 ANo inversor107 V7ns, 1.5ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficie12-WFBGA12-DSBGA
Demostración
de 8

Conductores de compuerta


Los circuitos integrados de administración de energía (PMIC) del controlador de compuertas son dispositivos que brindan aislamiento, amplificación, cambio de referencia, arranque u otras funciones necesarias para interconectar señales de un dispositivo de control en una aplicación de conversión de energía a los dispositivos semiconductores (generalmente FET o IGBT) a través de los cuales pasa la energía que se controla. Las funciones exactas que ofrece cualquier dispositivo particular varían, pero se correlacionan con la configuración del semiconductor que está adaptada para impulsar.