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Paquete
Estado del producto
Digi-Key Programable
Configuración dirigida
Tipo de canal
Cantidad de controladores
Tipo de compuerta
Voltaje de la fuente
Voltaje lógico - VIL, VIH
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
Tipo de entrada
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
Tiempo de subida/bajada
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
UP1966E
UP1966E
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP
EPC
103.254
En stock
1 : 3,33000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 1,09352 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteIndependiente2FET GaN de modo mejorado4.5V ~ 5.5V0.5V, 2.3V7.1A, 12.5ANo inversor85 V8ns, 4ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficie12-UFBGA, WLCSP12-WLCSP-B (1.6x1.6)
SOT 26
ZXGD3009E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
55.690
En stock
1 : 0,36000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,12907 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N40V (máx.)-2A, 2ANo inversor-210ns, 240ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
6-WCSPE
TCK401G,LF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
Toshiba Semiconductor and Storage
51.174
En stock
1 : 0,57000 €
Cinta cortada (CT)
5.000 : 0,20584 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel altoSimple1-2.7V ~ 28V0.4V, 1.6V-No inversor-0.2ms, 1.5µs-40°C ~ 85°C (TA)Montaje en superficie6-UFBGA, WLCSP6-WCSPE (0.80x1.2)
SOT-23-6 PKG
ZXGD3003E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Diodes Incorporated
131.957
En stock
1 : 0,54000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,20928 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N40V (máx.)-5A, 5ANo inversor-8.9ns, 8.9ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-23-6
TSOT 25 Top View
DGD0211CWT-7
HV GATE DRIVER TSOT25 T&R 3K
Diodes Incorporated
6.835
En stock
1 : 0,59000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,22806 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V1.9A, 1.8AInversión, No inversor-15ns, 15ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficieSOT-23-5 delgado, TSOT-23-5TSOT-25
SOT 26
ZXGD3006E6QTA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
24.987
En stock
1 : 0,63000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,24148 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET SiC40V (máx.)-10A, 10ANo inversor-48ns, 35ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
8-DFN 3x3
ADP3120AJCPZ-RL
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
onsemi
11.925
En stock
1 : 0,69000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,26848 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteSincrónico2MOSFET de canal N4.6V ~ 13.2V0.8V, 2V-Inversión, No inversor35 V20ns, 11ns-20°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 8-VFDFN8-DFN (3x3)
SOT-23-6 PKG
ZXGD3004E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Diodes Incorporated
99.305
En stock
1 : 0,69000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,26965 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N40V (máx.)-8A, 8ANo inversor-13.4ns, 12.4ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-23-6
SOT-23-5
FAN3111ESX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
27.560
En stock
1 : 0,81000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,31551 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4.5V ~ 18V-1.4A, 1.4ANo inversor-9ns, 8ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
10-DFN
DGD05463FN-7
IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
Diodes Incorporated
9.642
En stock
33.000
Factory
1 : 0,77000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,32447 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteSincrónico2MOSFET de canal N4.5V ~ 14V0.8V, 2.4V1.5A, 2.5ACMOS, TTL50 V17ns, 12ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficiePlaca descubierta 10-WFDFNW-DFN3030-10
SOT-23-6
1EDN8511BXUSA1
IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6
Infineon Technologies
42.189
En stock
1 : 0,99000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,37703 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puente, nivel bajoSimple1MOSFET de canal N, canal P8V ~ 20V1.2V, 1.9V4A, 8AInversión, No inversor-6.5ns, 4.5ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6PG-SOT23-6-2
8-SO
ZXGD3103N8TC
IC GATE DRVR HI-SIDE/LO-SIDE 8SO
Diodes Incorporated
7.770
En stock
1 : 0,92000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,38858 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel alto o bajoSimple1MOSFET de canal N5V ~ 15V-2.5 A, 6 ANo inversor-450ns, 21ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
PG-SOT23-6
IRS10752LTRPBF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
11.822
En stock
1 : 1,13000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,42906 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel altoSimple1MOSFET de canal N10V ~ 18V0.8V, 2.2V160 mA, 240 mANo inversor100 V85ns, 40ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6PG-SOT23-6
SOT-23-5
FAN3100TSX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
6.037
En stock
1 : 1,01000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,42837 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compraNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4.5V ~ 18V0.8V, 2V3A, 3AInversión, No inversor-13ns, 9ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
8-SO
DGD2304S8-13
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Diodes Incorporated
6.039
En stock
1.375.000
Factory
1 : 1,10000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,46630 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteIndependiente2IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 20V0.7V, 2.3V290 mA, 600 mANo inversor600 V70ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
56.216
En stock
1 : 1,15000 €
Cinta cortada (CT)
2.000 : 0,47162 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 30V0.8V, 2.4V1.5A, 1.5AInversión, No inversor-10ns, 8ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-SOIC
IRS2005STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
31.161
En stock
1 : 1,28000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,48430 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteIndependiente2IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 20V0.8V, 2.5V290 mA, 600 mANo inversor200 V70ns, 30ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-SOIC
IRS2008STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
6.462
En stock
1 : 1,28000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,48430 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteSincrónico2MOSFET de canal N10V ~ 20V0.8V, 2.5V290 mA, 600 mANo inversor200 V70ns, 30ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
120.161
En stock
1 : 1,22000 €
Cinta cortada (CT)
2.000 : 0,51885 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 30V0.8V, 2.4V1.5A, 1.5ANo inversor-10ns, 8ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficiePlaca descubierta 8-VDFN8-DFN (3x3)
17.880
En stock
1 : 1,22000 €
Cinta cortada (CT)
2.000 : 0,51885 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 30V0.8V, 2.4V1.5A, 1.5AInversión, No inversor-10ns, 8ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficiePlaca descubierta 8-VDFN8-DFN (3x3)
8-SOIC
NCP5104DR2G
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
onsemi
4.990
En stock
1 : 1,26000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,53220 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteSincrónico2IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 20V0.8V, 2.3V250mA, 500mANo inversor600 V85ns, 35ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-SO
DGD2104MS8-13
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Diodes Incorporated
66.234
En stock
185.000
Factory
1 : 1,29000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,54402 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteSincrónico2IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 20V0.8V, 2.5V290 mA, 600 mANo inversor600 V70ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
SOT 23-5
MCP1402T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
94.511
En stock
1 : 0,77000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,58288 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V500mA, 500mANo inversor-19ns, 15ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
SOT 23-5
MCP1401T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
58.933
En stock
1 : 0,77000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,58288 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V500mA, 500mAInversión-19ns, 15ns-40°C ~ 125°CMontaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
8-SOIC
FAN7382MX
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
onsemi
29.409
En stock
1 : 1,42000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,60082 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteIndependiente2IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 20V0.8V, 2.5V350 mA, 650 mANo inversor600 V60ns, 30ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOP
Demostración
de 6.990

Conductores de compuerta


Los circuitos integrados de administración de energía (PMIC) del controlador de compuertas son dispositivos que brindan aislamiento, amplificación, cambio de referencia, arranque u otras funciones necesarias para interconectar señales de un dispositivo de control en una aplicación de conversión de energía a los dispositivos semiconductores (generalmente FET o IGBT) a través de los cuales pasa la energía que se controla. Las funciones exactas que ofrece cualquier dispositivo particular varían, pero se correlacionan con la configuración del semiconductor que está adaptada para impulsar.