FET simple, MOSFET

Resultados : 45.258
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ams-OSRAM USA INC.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyCoolCADCypress Semiconductor CorpDiodes IncorporatedDiotec Semiconductor
Serie
-*18N20Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoPreliminarÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V0V, 6V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.2V, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.29mOhm a 50A, 10V0.3mOhm a 200A, 10V0.35mOhm a 50A, 10V0.4 mOhm a 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.4mOhm a 30A, 10V0.42mOhm a 50A, 10V0.44mOhm a 88A, 10V0.45mOhm a 30A, 10V0.45mOhm a 50A, 10V0.45mOhm a 60A, 4.5V0.47mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típico)600mV a 1.2mA (mín.)600mV a 1mA (mín.)600mV a 1mA (típico)600mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.35 pC @ 4.5 V0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5 pF @ 25 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
Característica de FET
-Detección de corrienteDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Diodo de detección de temperaturaEstándarModo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0.6x1)3-DFN (1.0 x 0.60)3-DFN (1x0.6)3-FCLGA (3.2x2.2)3-LDPAK3-LGA (0.73x0.64)3-LGA (4.1x8)3-MCP3-MCPH
Paquete / Caja (carcasa)
Placa descubierta 2-DFN3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conductores planos3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3 variante3-SMD, conductor plano3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
545.967
En stock
2.412.000
Fábrica
1 : 0,16000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02774 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V310mA (Ta)5V, 10V3Ohm a 115mA, 10V2V a 250µA0.87 nC @ 10 V±20V22 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
48.277
En stock
590.000
Fábrica
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,02831 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V380mA (Ta)2.5V, 10V2.8Ohm a 250mA, 10V1.5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
BC817-16-TP
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
30.890
En stock
1 : 0,16000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02847 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V115mA (Ta)5V, 10V7.5Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
364.116
En stock
130.000
Fábrica
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,02878 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V240mA (Ta)5V, 10V5Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA0.82 nC @ 10 V±30V22 pF @ 25 V-320mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.419.531
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,02910 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1.377.566
En stock
1 : 0,18000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03121 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V115mA (Ta)5V, 10V7.5Ohm a 50mA, 5V2.5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70-3
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
39.354
En stock
1 : 0,19000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03359 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V310mA (Ta)4.5V, 10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-280mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-70-3 (SOT323)SC-70, SOT-323
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
827.954
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03515 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)50 V180mA (Ta)10V7.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101, SOT-883
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Toshiba Semiconductor and Storage
188.137
En stock
1 : 0,29000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,03640 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V250mA (Ta)1.2V, 4.5V1.1Ohm a 150mA, 4.5V1V a 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieCST3CSC-101, SOT-883
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
107.256
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03680 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V260mA (Ta)4.5V, 10V2.5Ohm a 240mA, 10V2.6V a 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
181.743
En stock
570.000
Fábrica
1 : 0,29000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,03732 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V310mA (Ta)10V3.5Ohm a 220mA, 10V1.5V a 250µA0.95 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-380mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
535.178
En stock
276.000
Fábrica
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03680 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V350mA (Ta)2.5V, 10V2.8Ohm a 250mA, 10V1.5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
787.556
En stock
1 : 0,23000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03865 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 300mA, 10V1.5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.328.697
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03937 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
326.376
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03783 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)50 V130mA (Ta)5V10Ohm a 100mA, 5V2V a 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.042.078
En stock
1 : 0,25000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04173 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V350mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
T2N7002AK,LM
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
525.007
En stock
1 : 0,14000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04242 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V200mA (Ta)4.5V, 10V3.9Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.35 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-320mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
844.525
En stock
1 : 0,26000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04377 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V300mA (Tc)10V5Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1.207.790
En stock
1 : 0,26000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04379 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V320mA (Ta)10V1.6Ohm a 300mA, 10V1.5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
11.789
En stock
1 : 0,36000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,04681 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V4.2 A (Ta)1.8V, 4.5V52mOhm a 4.2A, 4.5V900mV a 250µA10.2 nC @ 4.5 V±8V808 pF @ 15 V-1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Diodes Incorporated
188.646
En stock
9.900.000
Fábrica
1 : 0,32000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,04822 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V400mA (Ta)1.8V, 5V2Ohm a 50mA, 5V1V a 250µA0.4 nC @ 4.5 V±20V28.5 pF @ 30 V-440mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
92.024
En stock
1 : 0,29000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04852 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal PMOSFET (óxido de metal)50 V130mA (Ta)10V10Ohm a 130mA, 10V2V a 1mA-±20V45 pF @ 25 V-250mW (Tc)-65°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
1.044.524
En stock
1 : 0,28000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04667 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V200mA (Ta)10V3.5Ohm a 220mA, 10V1.5V a 250µA-±20V50 pF @ 10 V-200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
RUC002N05T116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
656.580
En stock
1 : 0,29000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04921 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V200mA (Ta)1.2V, 4.5V2.2Ohm a 200mA, 4.5V1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-200mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieSST3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
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Cinta cortada (CT)
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Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V150mA (Ta)10V6Ohm a 120mA, 10V2.8V a 1mA-±20V40 pF @ 25 V-250mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 45.258

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.