FET simple, MOSFET

Resultados : 41.401
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCODIXX AGCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.29mOhm a 50A, 10V0.3mOhm a 200A, 10V0.35mOhm a 50A, 10V0.39mOhm a 100A, 10V0.4 mOhm a 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.4mOhm a 30A, 10V0.42mOhm a 50A, 10V0.44mOhm a 88A, 10V0.45mOhm a 30A, 10V0.45mOhm a 30A, 7V0.45mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típico)600mV a 1.2mA (mín.)600mV a 1mA (mín.)600mV a 1mA (típico)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
Característica de FET
-Detección de corrienteDiodo de detección de temperaturaDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
400µW400µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)155mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0.6x1)3-DFN (1.0 x 0.60)3-DFN (1x0.6)3-FCLGA (3.2x2.2)3-LGA (0.73x0.64)3-LGA (4.1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa)
Placa descubierta 2-DFN3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conductores planos3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar3-SMD, sin conductor3-SMD, SOT-23-3 variante
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
41.401Resultados

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de 41.401
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
65.258
En stock
1 : 0,14000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02384 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
116.271
En stock
1 : 0,16000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02808 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
501.800
En stock
1 : 0,18000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02995 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
408.799
En stock
1 : 0,18000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03066 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 50mA, 5V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
216.048
En stock
1 : 0,19000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03191 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
10V
3.5Ohm a 220mA, 10V
1.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
192.621
En stock
58.107.000
Fábrica
1 : 0,20000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03292 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
247.239
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03393 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
320mA (Ta)
4.5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.398.931
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02219 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
200mA (Ta)
1.2V, 2.5V
1.2Ohm a 100mA, 2.5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
439.798
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03684 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
260mA (Ta)
4.5V, 10V
2.5Ohm a 240mA, 10V
2.5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
417.252
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03615 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
350mA (Ta)
2.5V, 10V
2.8Ohm a 250mA, 10V
1.5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
30.527
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,02796 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
400mA (Ta)
4.5V, 10V
1.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.183.225
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,02145 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
839.185
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03795 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 300mA, 10V
1.5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
434.026
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03714 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
433.643
En stock
6.870.000
Fábrica
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03716 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
88.090
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03726 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
260mA (Ta)
4.5V, 10V
2.5Ohm a 240mA, 10V
2.6V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
56.266
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,02857 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2.8Ohm a 200mA, 10V
2.1V a 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-883
SC-101, SOT-883
4.630.309
En stock
1 : 0,23000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04228 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
800mA (Ta)
1.5V, 4.5V
235mOhm a 800mA, 4.5V
1V a 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
757.843
En stock
1 : 0,23000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,06994 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.5 A (Ta)
1.8V, 4.5V
22mOhm a 6.5A, 4.5V
1V a 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variante
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
643.025
En stock
1 : 0,23000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03955 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
0.9V, 4.5V
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UMT3F
SC-85
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
424.772
En stock
1 : 0,23000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,06994 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.05 A (Ta)
1.8V, 4.5V
200mOhm a 600mA, 4.5V
570mV a 1mA (típico)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
788.997
En stock
1 : 0,24000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04098 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
501.896
En stock
1 : 0,24000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,06518 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.5 A (Ta)
1.8V, 4.5V
25mOhm a 6.5A, 4.5V
900mV a 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
154.611
En stock
11.871.000
Fábrica
1 : 0,24000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04039 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
914.787
En stock
1 : 0,25000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04302 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
320mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 300mA, 10V
1.5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
Demostración
de 41.401

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.