Transistores - FET - MOSFET - Matrices

Resultados : 4.481
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCGeneral ElectricGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon Technologies
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Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
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Embalaje
-BandejaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
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Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
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Tipo FET
2 Canal N (conexión de fase)2 canal N (dual), asimétrico2 canal N (dual), drenaje común2 canal N (interruptor modulador reductor doble)2 canal P (dual), drenaje común2 canales N (en cascada)2 canales N (medio puente)2 canales N y 2 canales P (puente H)2 canales N y 2 canales P2 canales N2 independientesDos canal N (doble)Dos canal N (doble), schottky
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Característica de FET
-Carburo de silicio (SiC)Compuerta de nivel lógicoCompuerta de nivel lógico, controlador de 0.9VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.2VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.8VCompuerta de nivel lógico, controlador de 2.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4VCompuerta de nivel lógico, controlador de 5VEstándarGaNFET (Nitrito de galio)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5.5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA115mA, 130mA
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Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.8mOhm a 1200A, 10V0.95mOhm a 30A, 10V0.95mOhm a 8A, 4.5V1mOhm a 38A, 10V1.25mOhm a 35A, 10V1.3mOhm a 100A, 10V1.5mOhm a 33A, 10V1.6mOhm a 10A, 4.5V1.6mOhm a 40A, 10V1.66mOhm a 80A, 10V1.73mOhm a 760A, 15V1.8mOhm a 5A, 4.5V1.86mOhm a 650A, 15V
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Vgs(th) (máx) a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)420mV a 1µA450mV a 100µA (mín.)
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Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.4pC a 4.5V, 7.3nC a 4.5V0.45 pC a 4.5V0.16nC a 5V, 0.044nC a 5V0.22nC a 5V, 0.044nC a 5V0.26nC a 2.5V0.3nC a 4.5V0.304nC a 4.5V0.31nC a 4.5V0.32nC a 4.5V0.34nC a 4.5V0.35nC a 4.5V0.35nC a 5V350pC a 4.5V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.5pF a 5V3pF a 5V6pF a 3V6.2pF a 10V6.6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7.1pF a 10V7.4pF a 10V7.5pF a 10V8.5pF a 3V9pF a 15V9.1pF a 3V
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Potencia - Máx.
10mW (Tc)10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
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Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
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Paquete / Caja (carcasa)
4-SMD, sin conductor4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSPPlaca descubierta 4-VFDFN5-LGA
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Paquete del dispositivo del proveedor
4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1.2x1.2)4-BGA (1x1)4-DFN (1.5x1.5)4-DFN (1.7x1.7)4-EFCP (1.01x1.01)4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)4-Picostar (1.31x1.31)4-QFN (2x2)4-SMD4-WLCSP (1.26x1.26)
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Medios de comunicación
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Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Característica de FET
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
1,75000 €
20.796: inmediato
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canales N (medio puente)GaNFET (Nitrito de galio)100V1.7A70mOhm a 2A, 5V2.5V a 600µA0.73nC a 5V75pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
2,28000 €
15.405: inmediato
EPCEPC
1
917-1152-2-ND
917-1152-1-ND
917-1152-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoFuente común de 2 canales N (doble)GaNFET (Nitrito de galio)120V3.4A60mOhm a 4A, 5V2.5V a 700µA0.8nC a 5V80pF a 60V--40°C ~ 150°C (TJ)-MoldeMolde
BSM250D17P2E004
BSM250D17P2E004
HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
946,80000 €
0: inmediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM250D17P2E004-ND
-
Caja
Activo2 canales N (medio puente)Carburo de silicio (SiC)1700V (1.7kV)250 A (Tc)-4V a 66mA-30000pF a 10V1800W (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje de chasisMóduloMódulo
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
683,59000 €
30: inmediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM300D12P2E001-ND
-
Bandeja
Activo2 canales N (medio puente)Carburo de silicio (SiC)1200V (1.2kV)300 A (Tc)-4V a 68mA-35000pF a 10V1875W-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje de chasisMóduloMódulo
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
0,38000 €
6.000: inmediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
UM6K34NTCNTR-ND
UM6K34NTCNCT-ND
UM6K34NTCNDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V50V200mA2.2Ohm a 200mA, 4.5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
0,38000 €
55.586: inmediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6N37FULFTR-ND
SSM6N37FULFCT-ND
SSM6N37FULFDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V20V250mA (Ta)2.2Ohm a 100mA, 4.5V1V a 1mA-12pF a 10V300mW150°CMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT-563
SSM6L14FE(TE85L,F)
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
0,43000 €
66.830: inmediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6L14FE(TE85LF)TR-ND
SSM6L14FE(TE85LF)CT-ND
SSM6L14FE(TE85LF)DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V20V800mA (Ta), 720mA (Ta)240mOhm a 500mA, 4.5V, 300mOhm a 400mA, 4.5V1V a 1mA2nC a 4.5V, 1.76nC a 4.5V90pF a 10V, 110pF a 10V150mW (Ta)150°CMontaje en superficieSOT-563, SOT-666ES6
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
0,41000 €
495.156: inmediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
BSD840NH6327XTSA1TR-ND
BSD840NH6327XTSA1CT-ND
BSD840NH6327XTSA1DKR-ND
OptiMOS™
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V880mA400mOhm a 880mA, 2.5V750mV a 1.6µA0.26nC a 2.5V78pF a 10V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-6
6-UDFN
SSM6N58NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
0,46000 €
75.989: inmediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6N58NULFTR-ND
SSM6N58NULFCT-ND
SSM6N58NULFDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.8V30V4A84mOhm a 2A, 4.5V1V a 1mA1.8nC a 4.5V129pF a 15V1W150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-WDFN6-UDFN (2x2)
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
0,44000 €
147.673: inmediato
380.000: fábrica
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico30V220mA, 200mA1.5Ohm a 100mA, 4.5V1V a 250µA0.38nC a 4.5V22.6pF a 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
0,48000 €
22.357: inmediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar12V5.6A29mOhm a 5A, 4.5V1V a 250µA19.6nC a 8V914pF a 6V1.4W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-UDFNU-DFN2020-6 (típico B)
UF6
SSM6L40TU,LF
X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST
0,49000 €
1.588: inmediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6L40TULFTR-ND
SSM6L40TULFCT-ND
SSM6L40TULFDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico, controlador de 4V30V1.6A (Ta), 1.4A (Ta)122mOhm a 1A, 10V, 226mOhm a 1A, 10V2.6V a 1mA, 2V a 1mA5.1nC a 10V, 2.9nC a 10V180pF a 15V, 120pF a 15V500mW (Ta)150°CMontaje en superficie6-SMD, conductores planosUF6
SOT 26
DMP2240UDM-7
MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT-26
0,44000 €
0: inmediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP2240UDMDITR-ND
DMP2240UDMDICT-ND
DMP2240UDMDIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20V2A150mOhm a 2A, 4.5V1V a 250µA-320pF a 16V600mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
U-DFN2020-6
DMP2160UFDB-7
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
0,49000 €
175.790: inmediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP2160UFDB-7DITR-ND
DMP2160UFDB-7DICT-ND
DMP2160UFDB-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20V3.8 A70mOhm a 2.8A, 4.5V900mV a 250µA6.5nC a 4.5V536pF a 10V1.4W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-UDFNU-DFN2020-6 (típico B)
SOT 26
DMG6968UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26
0,49000 €
83.793: inmediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG6968UDMDITR-ND
DMG6968UDMDICT-ND
DMG6968UDMDIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canal N (dual), drenaje comúnCompuerta de nivel lógico20V6.5A24mOhm a 6.5A, 4.5V900mV a 250µA8.8nC a 4.5V143pF a 10V850mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
SOT 26
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
0,54000 €
51.814: inmediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926UDMDITR-ND
DMG9926UDMDICT-ND
DMG9926UDMDIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canal N (dual), drenaje comúnCompuerta de nivel lógico20V4.2A28mOhm a 8.2A, 4.5V900mV a 250µA8.3nC a 4.5V856pF a 10V980mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
8-SOIC
MCQ7328-TP
P-CHANNELMOSFETSOP-8
0,56000 €
65.394: inmediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
1
MCQ7328-TPMSTR-ND
MCQ7328-TPMSCT-ND
MCQ7328-TPMSDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Estándar30V8A21mOhm a 8A, 10V2.5V a 250µA78nC a 10V2.675nF a 25V1.4W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOP
SOT-563
CMLDM7484 TR PBFREE
MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563
0,64000 €
15.935: inmediato
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-CMLDM7484TRPBFREETR-ND
1514-CMLDM7484TRPBFREECT-ND
1514-CMLDM7484TRPBFREEDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoComplemento de canal N y PEstándar30V450mA460mOhm a 200mA, 4.5V1V a 250µA0.79nC a 4.5V45pF a 25V150mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
8-SOIC
MCQ4828A-TP
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFETSOP-
0,60000 €
30.790: inmediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
1
MCQ4828A-TPMSTR-ND
MCQ4828A-TPMSCT-ND
MCQ4828A-TPMSDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar60V4.5 A (Ta)56mOhm a 4.5A, 10V3V a 250µA10.5nC a 10V540pF a 30V1.25W (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOP
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
0,68000 €
6.000: inmediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
US6M2TR-ND
US6M2CT-ND
US6M2DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PEstándar30V, 20V1.5A, 1A240mOhm a 1.5A, 4.5V1.5V a 1mA2.2nC a 4.5V80pF a 10V1W150°C (TJ)Montaje en superficie6-SMD, conductores planosTUMT6
8-SOIC
AO4838
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
0,77000 €
50.995: inmediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1688-2-ND
785-1688-1-ND
785-1688-6-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V11A9.6mOhm a 11A, 10V2.6V a 250µA22nC a 10V1300pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7503TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
0,75000 €
3.908: inmediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7503TRPBFTR-ND
IRF7503TRPBFCT-ND
IRF7503TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V2.4A135mOhm a 1.7A, 10V1V a 250µA12nC a 10V210pF a 25V1.25W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-TSSOP, 8-MSOP (ancho 0.118", 3.00mm)Micro8™
8-SO
DMP3056LSDQ-13
MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8
0,93000 €
2.650: inmediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3056LSDQ-13DITR-ND
DMP3056LSDQ-13DICT-ND
DMP3056LSDQ-13DIDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Estándar30V6.9 A (Ta)45mOhm a 6A, 10V2.1V a 250µA13.7nC a 4.5V722pF a 25V2.5W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7507TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
0,82000 €
8.001: inmediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7507TRPBFTR-ND
IRF7507TRPBFCT-ND
IRF7507TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico20V2.4 A, 1.7 A140mOhm a 1.7A, 4.5V700mV a 250µA8nC a 4.5V260pF a 15V1.25W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-TSSOP, 8-MSOP (ancho 0.118", 3.00mm)Micro8™
8-SO
DMN4034SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
0,89000 €
10.141: inmediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN4034SSD-13TR-ND
DMN4034SSD-13CT-ND
DMN4034SSD-13DKR-ND
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Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico40V4.8A34mOhm a 6A, 10V3V a 250µA18nC a 10V453pF a 20V1.8W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
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