Transistores - JFET

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Número de parte del fabricante	Precio	Stock	Proveedor	Fabricante	Cantidad mínima	N.º de pieza de DK	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Voltaje - Perturbación del suministro (V(BR)GSS)	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0)	Consumo de corriente (Id) - Máximo	Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Resistencia - RDS (Encendido)	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor

2SK880-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V 0.1W USM	0,60000 €	4.168: inmediato	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	1	2SK880-Y(TE85LF)TR-ND 2SK880-Y(TE85LF)CT-ND 2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	USM
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18	3,08000 €	3.860: inmediato	Central Semiconductor Corp	Central Semiconductor Corp	1	1514-2N4393PBFREE-ND	-	Granel	Activo	Canal N	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF a 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-206AA, TO-18-3, carcasa metálica	TO-18
BSR57 JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23	0,40000 €	16.406: inmediato	onsemi	onsemi	1	BSR57TR-ND BSR57CT-ND BSR57DKR-ND	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	40 V	-	20 mA @ 15 V	-	2 V @ 0.5 nA	-	40 Ohms	250 mW	150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3	0,42000 €	20.913: inmediato	onsemi	onsemi	1	J111-D74ZCT-ND J111-D74ZTB-ND	-	Cinta cortada (CT) Cinta y caja	Activo	Canal N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados	TO-92-3
2SK208-O(TE85L,F) JFET N-CH 50V SC59	0,50000 €	2: inmediato	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	1	2SK208-O(TE85LF)TR-ND 2SK208-O(TE85LF)CT-ND 2SK208-O(TE85LF)DKR-ND	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	50 V	-	600 µA @ 10 V	6.5 mA	400 mV @ 100 nA	8.2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59
2SK879-GR(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM	0,42000 €	4.280: inmediato	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	1	2SK879-GR(TE85LF)TR-ND 2SK879-GR(TE85LF)CT-ND 2SK879-GR(TE85LF)DKR-ND	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	-	-	2.6 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8.2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	USM
J113-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92	0,42000 €	15.386: inmediato	onsemi	onsemi	1	J113-D74ZCT-ND J113-D74ZTB-ND	-	Cinta cortada (CT) Cinta y caja	Activo	Canal N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados	TO-92-3
2SK2145-BL(TE85L,F JFET N-CH 50V SMV	0,68000 €	1.886: inmediato	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	1	2SK2145-BL(TE85LFTR-ND 2SK2145-BL(TE85LFCT-ND 2SK2145-BL(TE85LFDKR-ND	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Dos canal N (doble)	-	-	6 mA @ 10 V	-	200 mV @ 100 nA	13pF a 10V	-	300 mW	125°C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74A, SOT-753	SMV
J111 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3	0,41000 €	31.580: inmediato	onsemi	onsemi	1	J111FS-ND	-	Granel	Activo	Canal N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J113 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3	0,42000 €	8.424: inmediato	onsemi	onsemi	1	J113FS-ND	-	Granel	Activo	Canal N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J112 JFET N-CH 35V 625MW TO92	0,46000 €	9.003: inmediato	onsemi	onsemi	1	J112FS-ND	-	Granel	Activo	Canal N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
JFE150DCKR ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN	2,80000 €	5.641: inmediato 9.000: fábrica	Texas Instruments	Texas Instruments	1	296-JFE150DCKRTR-ND 296-JFE150DCKRCT-ND 296-JFE150DCKRDKR-ND	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	-	24pF a 5V	-	-	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaje en superficie	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SC-70-5
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18	3,02000 €	12.728: inmediato	Central Semiconductor Corp	Central Semiconductor Corp	1	1514-2N4392PBFREE-ND	-	Granel	Activo	Canal N	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF a 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-206AA, TO-18-3, carcasa metálica	TO-18
2N4858A JFET N-CH 40V 0.36W TO-18	4,61000 €	402: inmediato	Central Semiconductor Corp	Central Semiconductor Corp	1	2N4858A-ND	-	Granel	Activo	Canal N	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	10pF a 10V (VGS)	60 Ohms	360 mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	Orificio pasante	TO-206AA, TO-18-3, carcasa metálica	TO-18
UJ3N065080K3S 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,	8,41000 €	3.566: inmediato	UnitedSiC	UnitedSiC	1	2312-UJ3N065080K3S-ND	-	Tubo	Activo	Canal N	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF a 100V	95 mOhms	190 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120070K3S 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON	15,34000 €	4.915: inmediato	UnitedSiC	UnitedSiC	1	2312-UJ3N120070K3S-ND	-	Tubo	Activo	Canal N	1200 V	1200 V	-	33.5 A	-	985pF a 100V	90 mOhms	254 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N065025K3S 650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,	19,70000 €	1.469: inmediato	UnitedSiC	UnitedSiC	1	2312-UJ3N065025K3S-ND	-	Tubo	Activo	Canal N	650 V	650 V	-	85 A	-	2360pF a 100V	33 mOhms	441 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120035K3S 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON	28,19000 €	1.700: inmediato	UnitedSiC	UnitedSiC	1	2312-UJ3N120035K3S-ND	-	Tubo	Activo	Canal N	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF a 100V	45 mOhms	429 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
TF222B-B4-TL-E-ON N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER	0,01924 €	4.248.000: inmediato	Rochester Electronics, LLC	onsemi	15.000	2156-TF222B-B4-TL-E-ON-ND	*	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FJZ594JCTF TRANSISTOR	0,01924 €	1.271.060: inmediato	Rochester Electronics, LLC	Fairchild Semiconductor	15.000 Sin stock	2156-FJZ594JCTF-ND	-	Granel	Obsoleto	Canal N	20 V	-	150 µA @ 5 V	1 mA	600 mV @ 1 µA	3.5pF a 5V	-	100 mW	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-623F	SOT-623F
FJZ594JBTF TRANSISTOR	0,01924 €	687.000: inmediato	Rochester Electronics, LLC	Fairchild Semiconductor	15.000 Sin stock	2156-FJZ594JBTF-ND	-	Granel	Obsoleto	Canal N	20 V	-	150 µA @ 5 V	1 mA	600 mV @ 1 µA	3.5pF a 5V	-	100 mW	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-623F	SOT-623F
TF222B-B4-TL-E N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER	0,01924 €	64.000: inmediato	Rochester Electronics, LLC	Sanyo	15.000	2156-TF222B-B4-TL-E-ND	*	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FJX597JHTF SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	0,01924 €	56.000: inmediato	Rochester Electronics, LLC	Fairchild Semiconductor	15.000 Sin stock	2156-FJX597JHTF-ND	-	Granel	Obsoleto	Canal N	20 V	-	150 µA @ 5 V	1 mA	600 mV @ 1 µA	3.5pF a 5V	-	100 mW	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	SC-70-3 (SOT323)
TF218THC-5-TL-H N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT	0,03849 €	144.000: inmediato	Rochester Electronics, LLC	onsemi	7.212	2156-TF218THC-5-TL-H-ND	*	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TF218THC-5-TL-H-SY N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT	0,03849 €	40.000: inmediato	Rochester Electronics, LLC	Sanyo	7.212	2156-TF218THC-5-TL-H-SY-ND	*	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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