Name: SIZ340BDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ340BDT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.1737 EUR
Availability: InStock

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SIZ340BDT-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIZ340BDT-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIZ340BDT-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIZ340BDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIZ340BDT-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) Montaje en superficie 8-Power33 (3x3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIZ340BDT-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble), schottky
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.56mOhm a 10A, 10V, 4.31mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12.6nC a 10V, 23.5nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	550pF a 15V, 1065pF a 15V
Potencia - Máx.	3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-Power33 (3x3)
Número de producto base	SIZ340