Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.6335 EUR
Availability: OutOfStock

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SIZ200DT-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIZ200DT-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Plazo estándar del fabricante	33 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Montaje en superficie 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIZ200DT-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.5mOhm a 10A, 10V, 5.8mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28nC a 10V, 30nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1510pF a 15V, 1600pF a 15V
Potencia - Máx.	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PowerPair® (3.3x3.3)
Número de producto base	SIZ200